| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 自旋电子学简介 | 第12-13页 |
| 1.2 隧穿磁电阻(TMR) | 第13-15页 |
| 1.2.1 隧穿磁电阻的物理机制 | 第13-14页 |
| 1.2.2 隧穿磁电阻的理论模型—Julliere模型 | 第14-15页 |
| 1.3 磁各向异性薄膜 | 第15-18页 |
| 1.3.1 磁晶各向异性 | 第15-16页 |
| 1.3.2 垂直磁各向异性 | 第16-17页 |
| 1.3.3 MgO/CoFeB界面垂直磁各向异性的来源 | 第17-18页 |
| 1.3.4 具有垂直磁各向异性薄膜结构的研究意义 | 第18页 |
| 1.4 石榴石型铁氧体简述 | 第18-19页 |
| 1.5 本论文研究内容及目的 | 第19-21页 |
| 第二章 样品的制备与测试分析方法 | 第21-33页 |
| 2.1 磁性纳米薄膜的制备技术 | 第21-26页 |
| 2.1.1 基片的选择与清洗 | 第21-22页 |
| 2.1.2 磁控溅射镀膜技术 | 第22-25页 |
| 2.1.3 掩膜板的选择 | 第25-26页 |
| 2.2 样品的表征分析方法 | 第26-33页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第26-28页 |
| 2.2.2 交变梯度磁强计(AGM) | 第28-29页 |
| 2.2.3 台阶仪(细微形状测定仪) | 第29-30页 |
| 2.2.4 反常霍尔电压测试 | 第30-33页 |
| 第三章 MgO/CoFeB/Ta及Ta/MgO/CoFeB/Ta/MgO的垂直磁各向异性 | 第33-43页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 MgO/CoFeB/Ta结构薄膜的垂直磁各向异性 | 第34-37页 |
| 3.2.1 CoFeB层厚度的变化对薄膜PMA的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.2 CoFeB层溅射功率的变化对薄膜PMA的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.3 Ta层厚度的变化对薄膜PMA的影响 | 第36-37页 |
| 3.3 Ta/MgO/CoFeB/Ta/MgO结构薄膜的垂直磁各向异性 | 第37-41页 |
| 3.3.1 CoFeB层厚度的变化对薄膜PMA的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.2 MgO层厚度的变化对薄膜PMA的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.3 真空退火温度对薄膜PMA的影响 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 TmIG和LuIG的靶材烧结及其表征 | 第43-53页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 TmIG和LuIG靶材烧结 | 第43-48页 |
| 4.2.1 硝酸融合烧结法原理 | 第43-45页 |
| 4.2.2 硝酸融合烧结法流程 | 第45-48页 |
| 4.3 TmIG和LuIG靶材的表征 | 第48-51页 |
| 4.3.1 TmIG靶材XRD测试 | 第48-49页 |
| 4.3.2 LuIG靶材XRD测试 | 第49-50页 |
| 4.3.3 TmIG和LuIG靶材的AGM测试 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 本论文的主要工作与取得的成果 | 第53-54页 |
| 5.2 本论文的不足之处与工作展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参加的学术会议 | 第61-62页 |
| 附件 | 第62页 |
