| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 氧化镓的性质及结构 | 第9-12页 |
| 1.3 氧化镓纳米材料的制备方法和国内外研究进展 | 第12-13页 |
| 1.4 氧化镓纳米材料的应用 | 第13-15页 |
| 1.4.1 Ga_2O_3气敏传感器 | 第13页 |
| 1.4.2 Ga_2O_3光致发光器件(TFEL) | 第13页 |
| 1.4.3 紫外探测器 | 第13-15页 |
| 1.5 本论文的选题依据及内容 | 第15-17页 |
| 第二章 实验设备和测试方法 | 第17-25页 |
| 2.1 实验设备 | 第17-19页 |
| 2.1.1 磁控溅射仪 | 第17-18页 |
| 2.1.2 管式高温扩散炉 | 第18-19页 |
| 2.2 纳米材料的表征方法 | 第19-25页 |
| 2.2.1 透射电子显微镜(TEM) | 第19-20页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第20-22页 |
| 2.2.3 X射线衍射(XRD) | 第22-23页 |
| 2.2.4 拉曼光谱(Raman) | 第23-25页 |
| 第三章 氧化镓纳米结构的制备及表征 | 第25-35页 |
| 3.1 实验 | 第25-27页 |
| 3.1.1 Ga_2O_3纳米材料的制备 | 第25-26页 |
| 3.1.2 β-Ga_2O_3的表征 | 第26-27页 |
| 3.2 结果和讨论 | 第27-33页 |
| 3.2.1 表面形貌特征 | 第27-29页 |
| 3.2.2 XRD分析 | 第29-31页 |
| 3.2.3 TEM和HRTM分析 | 第31-33页 |
| 3.3 氧化镓纳米线和纳米片的生长机制 | 第33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 柱状氧化镓纳米材料的制备及表征 | 第35-41页 |
| 4.1 实验 | 第35页 |
| 4.1.1 Ga_2O_3纳米材料的制备 | 第35页 |
| 4.1.2 β-Ga_2O_3柱状纳米材料的表征 | 第35页 |
| 4.2 结果和讨论 | 第35-40页 |
| 4.2.1 表面形貌表征 | 第35-37页 |
| 4.2.2 XRD分析 | 第37-38页 |
| 4.2.3 TEM分析 | 第38-39页 |
| 4.2.4 氧化镓纳米棒的拉曼分析 | 第39-40页 |
| 4.2.5 氧化镓纳米柱的生长机制 | 第40页 |
| 4.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 全文总结 | 第41-43页 |
| 5.1 本论文的主要研究结果 | 第41页 |
| 5.2 今后研究工作的建议 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表的文章 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |