首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体三极管(晶体管)论文--晶体管:按性能分论文

0.35微米锗硅HBT工艺和器件模拟及校准方法的探讨

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 概述第6-11页
    第一节 模拟的锗硅HBT结构介绍第6-7页
    第二节 模拟软件介绍第7-8页
    第三节 工艺及器件模拟流程介绍第8-9页
    第四节 工艺及器件模拟的校准介绍第9-11页
第二章 工艺模拟第11-28页
    第一节 工艺模拟中使用的模型介绍第11-17页
    第二节 工艺模拟过程第17-26页
    第三节 工艺模拟中的网格控制第26-28页
第三章 工艺模拟的校准方法探讨第28-36页
    第一节 在线校准第28-29页
    第二节 掺杂形貌校准第29-34页
    第三节 利用测试的CV结果对PN节进行校准第34-36页
第四章 器件特性模拟第36-54页
    第一节 器件模拟中使用的模型第36-41页
    第二节 器件模拟中求解的方程第41-42页
    第三节 器件模拟中网格的优化和控制第42-44页
    第四节 器件模拟各个特性的模拟方法第44-54页
第五章 器件模拟的校准方法探讨第54-75页
    第一节 Gummel曲线的校准第54-62页
    第二节 ICVC曲线校准第62-66页
    第四节 BVceo,BVcbo及BVebo校准方法探讨第66-72页
    第五节 cutoff Frequency校准方法探讨第72-75页
第六章 利用校准后的流程对新器件的特性进行模拟和预测第75-76页
第七章 全文结论与展望第76-78页
参考文献第78-80页
致谢第80-81页

论文共81页,点击 下载论文
上一篇:CDMA网络室内覆盖解决方案优化方法研究
下一篇:12周24式太极拳锻炼对女大学生痛经症状的影响