| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 1 课题背景及选题意义 | 第10-12页 |
| 1.1 集成电路金属互连技术的起源和现状 | 第10-11页 |
| 1.2 课题研究的意义 | 第11-12页 |
| 2 脉冲成核 WCVD 工艺的相关介绍 | 第12-23页 |
| 2.1 WCVD 工艺简介 | 第12-17页 |
| 2.1.1 CVD 工艺原理 | 第12-13页 |
| 2.1.2 钨的化学气相淀积性质 | 第13-16页 |
| 2.1.3 脉冲成核 WCVD 的说明 | 第16-17页 |
| 2.2 WCVD 在半导体制造中的发展与应用 | 第17-22页 |
| 2.2.1 钨在半导体工艺中的作用 | 第17-22页 |
| 2.3 小结 | 第22-23页 |
| 3 实验工具与量测方法 | 第23-34页 |
| 3.1 实验设备的介绍 | 第23-29页 |
| 3.1.1 脉冲成核钨生长设备的结构和原理 | 第23-24页 |
| 3.1.2 反应腔内关键部件介绍 | 第24-26页 |
| 3.1.3 脉冲成核 WCVD 与传统 WCVD 在设备硬件上的改进 | 第26-27页 |
| 3.1.4 脉冲成核 WCVD 与传统 WCVD 在制程上的说明 | 第27-29页 |
| 3.2 薄膜分析仪器与原理 | 第29-33页 |
| 3.3 小结 | 第33-34页 |
| 4 PNLW 工艺参数和薄膜性能分析及工艺问题 | 第34-43页 |
| 4.1 工艺参数对钨沉积的基本影响研究 | 第34-36页 |
| 4.1.1 工艺参数表 | 第34-36页 |
| 4.2 钨薄膜的均匀性研究 | 第36-37页 |
| 4.3 钨薄膜的应力研究： | 第37-39页 |
| 4.4 腔体钨薄膜清理过程研究 | 第39-40页 |
| 4.5 钨气相化学工艺在先进半导体制造发展中的问题 | 第40-42页 |
| 4.6 小结 | 第42-43页 |
| 5 脉冲成核钨电阻改善实验分析及结果讨论 | 第43-59页 |
| 5.1 脉冲成核层钨改善实验： | 第43-49页 |
| 5.1.1 实验一改变 SiH4/WF6管路充气时间、SiH4/WF6单次剂量时间 | 第43-45页 |
| 5.1.2 实验二氢气与硅烷实验 | 第45-46页 |
| 5.1.3 实验三 B2H6、SiH4与 WF6脉冲成核循环过程实验 | 第46-48页 |
| 5.1.4 实验四成核层表面处理实验 | 第48-49页 |
| 5.2 Bulk 钨改善实验 | 第49-52页 |
| 5.2.1 实验一调节 bulk 钨生长温度实验 | 第49-52页 |
| 5.3 改善后的脉冲成核 WCVD 在实际中的应用 | 第52-58页 |
| 5.3.1 低电阻率钨在 offline 、电性和良率中的实际情况 | 第52-55页 |
| 5.3.2 改进后的 WCVD 在长期使用中碰到的缺陷问题研究 | 第55-58页 |
| 5.4 小结 | 第58-59页 |
| 6 总结与展望 | 第59-61页 |
| 6.1 本论文的总结 | 第59-60页 |
| 6.2 论文的创新点 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
