| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-15页 |
| 1.2.1 三电容模型 | 第10-12页 |
| 1.2.2 气隙放电研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.3 常见GIS局部放电检测方法 | 第13-15页 |
| 1.2.4 电场数值计算方法的国内外研究现状 | 第15页 |
| 1.3 论文的主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 三维电场有限元分析的基本原理 | 第17-23页 |
| 2.1 有限元法 | 第17页 |
| 2.2 求解三维电场的有限元法 | 第17-21页 |
| 2.3 基于有限元分析的电磁场数值计算的基本步骤 | 第21-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 存在气隙缺陷的盆式绝缘子的电场强度分析 | 第23-40页 |
| 3.1 110kV盆式绝缘子三维计算模型的建立 | 第23-25页 |
| 3.2 无缺陷时 110kV盆式绝缘子电场强度分析 | 第25-26页 |
| 3.3 存在内部气隙缺陷时盆式绝缘子工频电场分析 | 第26-34页 |
| 3.3.1 不同位置的气隙缺陷对盆式绝缘子电场强度的影响 | 第26-33页 |
| 3.3.2 不同大小的气隙缺陷对盆式绝缘子电场强度的影响 | 第33-34页 |
| 3.4 存在外部气隙缺陷时盆式绝缘子工频电场分析 | 第34-38页 |
| 3.4.1 不同介电常数对盆式绝缘子电场强度的影响 | 第34-37页 |
| 3.4.2 不同气隙宽度对盆式绝缘子电场强度的影响 | 第37-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 盆式绝缘子气隙缺陷局部放电试验 | 第40-52页 |
| 4.1 110kV盆式绝缘子局部放电试验平台 | 第40-42页 |
| 4.1.1 试验平台及接线 | 第40-42页 |
| 4.1.2 抗干扰措施 | 第42页 |
| 4.2 实验方案的设计 | 第42-47页 |
| 4.2.1 加压方式的选择 | 第42-43页 |
| 4.2.2 盆式绝缘子气隙缺陷的制作 | 第43-46页 |
| 4.2.3 实验步骤 | 第46-47页 |
| 4.3 盆式绝缘子气隙缺陷局部放电实验 | 第47-51页 |
| 4.3.1 内屏蔽环内侧气隙缺陷实验 | 第47-48页 |
| 4.3.2 导体附近气隙缺陷实验 | 第48-50页 |
| 4.3.3 内屏蔽环外侧气隙缺陷实验 | 第50-51页 |
| 4.4 实验结论 | 第51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 盆式绝缘子气隙电场改进及验证 | 第52-62页 |
| 5.1 局部放电不稳定的发现过程 | 第52-54页 |
| 5.2 电场仿真计算 | 第54-60页 |
| 5.3 实验验证 | 第60-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 在学期间主要研究成果 | 第68页 |
