| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 黑硅材料的发展历程 | 第10-12页 |
| 1.2 重掺杂硅材料的制备方法及特性 | 第12-20页 |
| 1.2.1 飞秒激光扫描法 | 第12-13页 |
| 1.2.2 近红外波段的高吸收特性 | 第13-17页 |
| 1.2.3 杂质能带的理论研究 | 第17-20页 |
| 1.3 基于重掺杂硅的器件发展及国内外现状 | 第20-26页 |
| 1.4 本文的研究意义及内容 | 第26-28页 |
| 第二章 实验装置、材料、工艺 | 第28-37页 |
| 2.1 系统介绍 | 第28页 |
| 2.2 飞秒激光系统 | 第28-31页 |
| 2.2.1 啁啾脉冲放大技术 | 第29-30页 |
| 2.2.2 展宽器、压缩器和再生放大腔的工作原理 | 第30-31页 |
| 2.3 光路及真空腔系统 | 第31-33页 |
| 2.4 使用飞秒激光进行材料微加工的优势及应用 | 第33页 |
| 2.5 实验材料、制备工艺、测试方法 | 第33-36页 |
| 2.5.1 实验材料 | 第33-34页 |
| 2.5.2 制备工艺 | 第34-35页 |
| 2.5.3 测试方法 | 第35-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 在SF6气氛下扫描制备重掺杂硅及其性能研究 | 第37-49页 |
| 3.1 重掺杂硅的制备及形貌表征 | 第37-41页 |
| 3.1.1 重掺杂硅的制备 | 第37-40页 |
| 3.1.2 形貌表征及杂质掺杂过程机理 | 第40-41页 |
| 3.2 重掺杂硅材料的吸收特性 | 第41-44页 |
| 3.3 重掺杂硅的电学特性研究 | 第44-47页 |
| 3.3.1 霍尔效应测试原理 | 第44-45页 |
| 3.3.2 测试结果及分析 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 辅以离子注入的重掺杂硅的制备及其亚带隙吸收 | 第49-57页 |
| 4.1 样品制备 | 第49页 |
| 4.2 脉冲数目对重掺杂硅表面形貌的影响 | 第49-50页 |
| 4.3 重掺杂硅的亚带隙吸收特性 | 第50-55页 |
| 4.3.1 重掺杂硅的亚带隙吸收受激光能量的影响 | 第51-52页 |
| 4.3.2 重掺杂硅的亚带隙吸收随脉冲数目的变化 | 第52页 |
| 4.3.3 重掺杂硅的亚带隙吸收受退火及退火温度的影响 | 第52-55页 |
| 4.4 重掺杂硅材料的电学特性测试 | 第55-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 重掺杂硅器件的制备及性能研究 | 第57-67页 |
| 5.1 基于PN/PIN结的光电探测器工作原理 | 第57-58页 |
| 5.2 重掺杂硅光电探测器的制备 | 第58-61页 |
| 5.3 光电探测器的性能测试 | 第61-65页 |
| 5.3.1 PN结器件结构的I-V特性及响应特性 | 第61-64页 |
| 5.3.2 PIN结器件结构的I-V特性及响应特性 | 第64-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 总结 | 第67-68页 |
| 6.2 展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第74-75页 |
