| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第12页 |
| 1.2 硫化物半导体材料的性质及应用 | 第12-27页 |
| 1.2.1 Cu_2ZnSnS_4材料的研究进展 | 第13-19页 |
| 1.2.2 ZnIn_2S_4材料的研究进展 | 第19-24页 |
| 1.2.3 SnS材料的研究进展 | 第24-27页 |
| 1.3 论文选题及主要内容 | 第27-29页 |
| 第二章 溶剂热法制备CZTS纳米虫薄膜及性能研究 | 第29-45页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 实验部分 | 第29-32页 |
| 2.2.1 实验原料及设备 | 第29-30页 |
| 2.2.2 CZTS薄膜的制备步骤 | 第30-31页 |
| 2.2.3 测试表征 | 第31-32页 |
| 2.3 实验结果与分析 | 第32-43页 |
| 2.3.1 薄膜的物相成分分析 | 第32-35页 |
| 2.3.2 反应时间对薄膜形貌的影响 | 第35-37页 |
| 2.3.3 溶剂对薄膜形貌的影响 | 第37-38页 |
| 2.3.4 反应物浓度对薄膜成分的影响 | 第38-39页 |
| 2.3.5 薄膜红外光谱分析 | 第39页 |
| 2.3.6 薄膜光学性能分析 | 第39-40页 |
| 2.3.7 薄膜电学性能分析 | 第40-42页 |
| 2.3.8 溶剂热法制备CZTS纳米虫薄膜的机理分析 | 第42-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 水热法制备ZnIn_2S_4薄膜及性能研究 | 第45-64页 |
| 3.1 引言 | 第45页 |
| 3.2 实验部分 | 第45-46页 |
| 3.2.1 实验原料及设备 | 第45-46页 |
| 3.2.2 ZnIn_2S_4薄膜的制备步骤 | 第46页 |
| 3.2.3 测试与表征 | 第46页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第46-63页 |
| 3.3.1 薄膜的物相成分结构和形貌分析 | 第46-50页 |
| 3.3.2 反应温度对薄膜的影响 | 第50-54页 |
| 3.3.3 反应时间对薄膜的影响 | 第54-56页 |
| 3.3.4 硫脲含量对薄膜的影响 | 第56-58页 |
| 3.3.5 不同硫源对薄膜的影响 | 第58-59页 |
| 3.3.6 反应物浓度对薄膜的影响 | 第59-62页 |
| 3.3.7 水热法制备ZIS薄膜的生长机理分析 | 第62-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 电化学沉积SnS薄膜及性能研究 | 第64-77页 |
| 4.1 引言 | 第64页 |
| 4.2 实验部分 | 第64-65页 |
| 4.2.1 实验原料及设备 | 第64-65页 |
| 4.2.2 SnS薄膜的制备步骤 | 第65页 |
| 4.2.3 测试与表征 | 第65页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第65-75页 |
| 4.3.1 沉积电位对薄膜的影响 | 第65-71页 |
| 4.3.2 Sn~(2+)/S_2O_3~(2-)值对薄膜的影响 | 第71-73页 |
| 4.3.3 沉积温度对薄膜形貌的影响 | 第73-74页 |
| 4.3.4 电化学沉积法制备SnS薄膜的形成机理分析 | 第74-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 结论及展望 | 第77-79页 |
| 结论 | 第77-78页 |
| 展望 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-92页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第92页 |
