应用于中子探测的nTHGEM性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 选题背景 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-16页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 nTHGEM中子探测器 | 第18-24页 |
| 2.1 中子气体探测器 | 第18-19页 |
| 2.2 nTHGEM气体探测器结构 | 第19-22页 |
| 2.3 nTHGEM探测器工作原理 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 nTHGEM性能模拟研究 | 第24-50页 |
| 3.1 模拟环境 | 第24-28页 |
| 3.2 3D模型建立 | 第28-29页 |
| 3.3 电子在气体中的物理参数 | 第29-32页 |
| 3.4 探测器增益 | 第32-41页 |
| 3.4.1 nTHGEM膜孔中心电场分布 | 第32-33页 |
| 3.4.2 nTHGEM膜入孔系数和出孔系数 | 第33-37页 |
| 3.4.3 不同气体成分下探测器增益 | 第37-40页 |
| 3.4.4 不同rim尺寸探测器增益 | 第40-41页 |
| 3.5 入射X射线模拟 | 第41-45页 |
| 3.5.1 原初电离数分析 | 第41-43页 |
| 3.5.2 不同收集区电场强度下信号宽度 | 第43-44页 |
| 3.5.3 雪崩电子的横向扩散 | 第44页 |
| 3.5.4 模拟与实验结果对比 | 第44-45页 |
| 3.6 入射中子模拟 | 第45-49页 |
| 3.6.1 中子转化层模拟 | 第46页 |
| 3.6.2 热中子能谱沉积 | 第46-47页 |
| 3.6.3 不同收集区电场强度下的信号宽度 | 第47-48页 |
| 3.6.4 电子收集 | 第48-49页 |
| 3.7 本章小节 | 第49-50页 |
| 第4章 nTHGEM探测器性能测试 | 第50-66页 |
| 4.1 nTHGEM探测器样机制作 | 第50-54页 |
| 4.1.1 探测器腔体制作 | 第50-51页 |
| 4.1.2 入射窗制作 | 第51页 |
| 4.1.3 信号读出板设计 | 第51-53页 |
| 4.1.4 高压供电设计 | 第53页 |
| 4.1.5 读出电子学系统 | 第53-54页 |
| 4.1.6 nTHGEM探测器组装 | 第54页 |
| 4.2 nTHGEM探测器测试 | 第54-64页 |
| 4.2.1 坪曲线测试 | 第55页 |
| 4.2.2 X光机束斑测试 | 第55-59页 |
| 4.2.3 探测器成像实验 | 第59-61页 |
| 4.2.4 探测器位置分辨测试 | 第61-64页 |
| 4.2.5 实验分析 | 第64页 |
| 4.3 本章小结 | 第64-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及取得的科研成果 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
