| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-15页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 AlGaN/GaN异质结器件理论与制造技术 | 第16-28页 |
| 2.1 AlGaN/GaN的极化效应 | 第16-19页 |
| 2.2 AlGaN/GaN SBD工作原理 | 第19-21页 |
| 2.3 GaN功率器件制备技术 | 第21-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 MIS栅混合阳极二极管的设计与仿真 | 第28-47页 |
| 3.1 传统GaN功率二极管性能分析 | 第28-34页 |
| 3.2 MIS栅混合阳极二极管的设计 | 第34-43页 |
| 3.2.1 器件结构及工作原理 | 第35-37页 |
| 3.2.2 器件导通模型 | 第37-38页 |
| 3.2.3 反向特性分析 | 第38-40页 |
| 3.2.4 温度稳定性分析 | 第40-41页 |
| 3.2.5 栅下势垒层厚度选择 | 第41-43页 |
| 3.3 MIS栅混合阳极二极管的仿真 | 第43-46页 |
| 3.3.1 正向导通特性 | 第44页 |
| 3.3.2 反向耐压特性 | 第44-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 MIS栅混合阳极二极管的研制与测试 | 第47-74页 |
| 4.1 工艺流程 | 第47-53页 |
| 4.2 关键工艺研究 | 第53-66页 |
| 4.2.1 欧姆接触优化方法 | 第54-62页 |
| 4.2.2 刻蚀工艺监测方法 | 第62-66页 |
| 4.3 测试及分析 | 第66-73页 |
| 4.3.1 正向导通测试 | 第66-69页 |
| 4.3.2 反向耐压测试 | 第69-71页 |
| 4.3.3 变温测试 | 第71-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 5.1 结论 | 第74-75页 |
| 5.2 展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第82-83页 |