硒化镓晶体的生长及电子结构研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 课题研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 非线性光学晶体的要求 | 第11-12页 |
| 1.3 硒化镓晶体的研究现状 | 第12-19页 |
| 1.3.1 GaSe 晶体的结构 | 第12-13页 |
| 1.3.2 GaSe 晶体的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.3 GaSe 多晶的合成方法 | 第15-17页 |
| 1.3.4 GaSe 单晶的生长技术 | 第17-19页 |
| 1.4 课题研究的主要内容 | 第19-21页 |
| 第2章 实验材料与研究方法 | 第21-28页 |
| 2.1 实验材料 | 第21-22页 |
| 2.2 实验仪器设备 | 第22页 |
| 2.3 晶体合成与生长方法 | 第22-23页 |
| 2.4 样品的表征方法 | 第23-25页 |
| 2.4.1 粉末 X 射线衍射分析 | 第23页 |
| 2.4.2 拉曼光谱分析 | 第23页 |
| 2.4.3 扫描电镜 | 第23页 |
| 2.4.4 X 射线荧光光谱分析 | 第23页 |
| 2.4.5 原子力显微镜 | 第23-24页 |
| 2.4.6 荧光显微镜 | 第24页 |
| 2.4.7 纳米压痕计 | 第24页 |
| 2.4.8 傅立叶红外光谱仪 | 第24页 |
| 2.4.9 紫外/可见光/近红外光谱仪 | 第24-25页 |
| 2.5 理论计算方法 | 第25-28页 |
| 2.5.1 密度泛函理论 | 第25-27页 |
| 2.5.2 CASTEP 软件包 | 第27-28页 |
| 第3章 硒化镓多晶的合成 | 第28-41页 |
| 3.1 高温合成 GaSe 多晶的热力学研究 | 第28-30页 |
| 3.2 硒化镓相图的分析 | 第30-31页 |
| 3.3 合成安瓿的设计 | 第31-32页 |
| 3.4 GaSe 多晶料的合成 | 第32-40页 |
| 3.4.1 化学计量比法 | 第32-35页 |
| 3.4.2 富硒法 | 第35页 |
| 3.4.3 GaSe 多晶料配比的确定 | 第35-37页 |
| 3.4.4 GaSe 多晶料的结果与分析 | 第37-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 硒化镓单晶的生长 | 第41-56页 |
| 4.1 坩埚的选材和结构设计 | 第41-42页 |
| 4.2 GaSe 晶体生长工艺参数的选取 | 第42-43页 |
| 4.2.1 温度梯度的选取 | 第42-43页 |
| 4.2.2 生长速率的控制 | 第43页 |
| 4.3 GaSe 晶体的生长 | 第43-44页 |
| 4.4 GaSe 单晶的样品表征及结果分析 | 第44-54页 |
| 4.4.1 GaSe 晶体的侧视图 | 第44页 |
| 4.4.2 单晶 004 晶向的衍射谱图 | 第44-45页 |
| 4.4.3 晶体的拉曼光谱分析 | 第45-47页 |
| 4.4.4 晶体的缺陷研究 | 第47-50页 |
| 4.4.5 晶体的力学性能测试 | 第50-53页 |
| 4.4.6 晶体的光学性质 | 第53-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第5章 硒化镓晶体的电子结构研究 | 第56-66页 |
| 5.1 GaSe 晶体模型的建立 | 第56-57页 |
| 5.2 GaSe 晶体结构优化 | 第57-58页 |
| 5.3 计算结果与讨论 | 第58-64页 |
| 5.3.1 GaSe 晶体电子能带结构及态密度 | 第58-60页 |
| 5.3.2 GaSe 晶体的光学性质 | 第60-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
