| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 ZnO的结构与性能 | 第11-16页 |
| 1.2.1 ZnO的基本性质 | 第11页 |
| 1.2.2 ZnO的晶体结构 | 第11-14页 |
| 1.2.3 ZnO的能带结构 | 第14-15页 |
| 1.2.4 ZnO的电学性质和光学性质 | 第15-16页 |
| 1.3 ZnO基透明导电薄膜在太阳能电池中的应用研究现状 | 第16-19页 |
| 1.3.1 ZnO透明导电薄膜的导电性和透光性能研究 | 第17-18页 |
| 1.3.2 ZnO基透明导电薄膜陷光性能的研究 | 第18-19页 |
| 1.4 本课题的提出与研究内容 | 第19-23页 |
| 1.4.1 本课题的提出 | 第19-20页 |
| 1.4.2 本课题的主要研究内容 | 第20-22页 |
| 1.4.3 本课题的特色和创新点 | 第22-23页 |
| 第二章 磁控溅射方法制备ZnO-TCO薄膜及表征手段 | 第23-40页 |
| 2.1 磁控溅射方法制备ZnO-TCO薄膜 | 第23-27页 |
| 2.1.1 磁控溅射的原理及特点 | 第23-24页 |
| 2.1.2 磁控溅射设备介绍 | 第24-26页 |
| 2.1.3 ZnO-TCO薄膜的制备工艺流程 | 第26-27页 |
| 2.2 ZnO-TCO薄膜的表征手段 | 第27-40页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第28-29页 |
| 2.2.2 X-Ray光电子能谱(XPS) | 第29页 |
| 2.2.3 场发扫描电子显微镜(SEM) | 第29-30页 |
| 2.2.4 光致发光(PL)光谱 | 第30页 |
| 2.2.5 UV-Vis-NIR分光光度计 | 第30-31页 |
| 2.2.6 薄膜厚度的测量与计算 | 第31-36页 |
| 2.2.7 薄膜表面绒度(Haze)的测量与计算 | 第36-38页 |
| 2.2.8 四探针法 | 第38-40页 |
| 第三章 ZnO:W薄膜层生长工艺及性能研究 | 第40-81页 |
| 3.1 ZnO:W薄膜层生长工艺的正交试验研究 | 第40-49页 |
| 3.1.1 ZnO:W薄膜层最优生长实验因素的选取 | 第40页 |
| 3.1.2 正交阵列的排布和ZnO:W薄膜层透明导电性能指标的设计 | 第40-42页 |
| 3.1.3 ZnO:W薄膜层正交实验结果分析 | 第42-43页 |
| 3.1.4 ZnO:W薄膜层最优实验结果的验证 | 第43-49页 |
| 3.2 基于最优正交实验结果探索单因素对ZnO:W薄膜层的影响机制 | 第49-78页 |
| 3.2.1 靶衬间距对ZnO:W薄膜层微观结构及透明导电性能的影响 | 第49-54页 |
| 3.2.1.1 靶衬间距对ZnO:W薄膜层结晶性能的影响 | 第49-51页 |
| 3.2.1.2 靶衬间距对ZnO:W薄膜层表面形貌的影响 | 第51-52页 |
| 3.2.1.3 靶衬间距对ZnO:W薄膜层光学透过率的影响 | 第52-53页 |
| 3.2.1.4 靶衬间距对ZnO:W薄膜层电学性能的影响 | 第53-54页 |
| 3.2.2 生长温度对ZnO:W薄膜层微观结构及透明导电性能的影响 | 第54-60页 |
| 3.2.2.1 生长温度对ZnO:W薄膜层结晶性能的影响 | 第54-56页 |
| 3.2.2.2 生长温度对ZnO:W薄膜层表面形貌的影响 | 第56-57页 |
| 3.2.2.3 生长温度对ZnO:W薄膜层光学透过率的影响 | 第57-59页 |
| 3.2.2.4 生长温度对ZnO:W薄膜层电学性能的影响 | 第59-60页 |
| 3.2.3 溅射功率对ZnO:W薄膜层微观结构及透明导电性能的影响 | 第60-65页 |
| 3.2.3.1 溅射功率对ZnO:W薄膜层结晶性能的影响 | 第60-62页 |
| 3.2.3.2 溅射功率对ZnO:W薄膜层表面形貌的影响 | 第62-63页 |
| 3.2.3.3 溅射功率对ZnO:W薄膜层光学透过率的影响 | 第63-64页 |
| 3.2.3.4 溅射功率对ZnO:W薄膜层电学性能的影响 | 第64-65页 |
| 3.2.4 溅射气压对ZnO:W薄膜层微观结构及透明导电性能的影响 | 第65-71页 |
| 3.2.4.1 溅射气压对ZnO:W薄膜层结晶性能的影响 | 第65-67页 |
| 3.2.4.2 溅射气压对ZnO:W薄膜层表面形貌的影响 | 第67-69页 |
| 3.2.4.3 溅射气压对ZnO:W薄膜层光学透过率的影响 | 第69-71页 |
| 3.2.4.4 溅射气压对ZnO:W薄膜层电学性能的影响 | 第71页 |
| 3.2.5 氩氧比例对ZnO:W薄膜层微观结构及透明导电性能的影响 | 第71-78页 |
| 3.2.5.1 不同氩氧比例ZnO:W薄膜层的XPS和微观结构分析 | 第71-75页 |
| 3.2.5.2 氩氧比例对ZnO:W薄膜层表面形貌的影响 | 第75-76页 |
| 3.2.5.3 氩氧比例对ZnO:W薄膜层光学透过率的影响 | 第76-78页 |
| 3.2.5.4 氩氧比例对ZnO:W薄膜层电学性能的影响 | 第78页 |
| 3.3 本章小结 | 第78-81页 |
| 第四章 ZnO:W-TCO薄膜“过渡层”的生长工艺探索 | 第81-91页 |
| 4.1 不同靶衬间距生长的“过渡层”分析 | 第82-84页 |
| 4.1.1 不同靶衬间距生长的“过渡层”结构及表面形貌分析 | 第82-83页 |
| 4.1.2 不同靶衬间距生长的“过渡层”H刻蚀后的表面形貌及绒度分析 | 第83-84页 |
| 4.2 不同溅射功率生长的“过渡层”分析 | 第84-86页 |
| 4.2.1 不同溅射功率生长的“过渡层”结构及表面形貌分析 | 第84-85页 |
| 4.2.2 不同溅射功率生长的“过渡层”H刻蚀后的表面形貌及绒度分析 | 第85-86页 |
| 4.3 不同生长温度生长的“过渡层”分析 | 第86-89页 |
| 4.3.1 不同生长温度生长的“过渡层”结构及表面形貌的分析 | 第87页 |
| 4.3.2 不同生长温度生长的“过渡层”H刻蚀后的表面形貌及绒度分析 | 第87-89页 |
| 4.4 最优生长的“过渡层”的表面形貌 | 第89-90页 |
| 4.5 本章小结 | 第90-91页 |
| 第五章 ZnO: W-TCO薄膜绒面结构生长工艺的探索 | 第91-100页 |
| 5.1 射频磁控溅射直接制备薄膜绒面结构最佳工艺的探索 | 第91-97页 |
| 5.1.1 本征制备绒面结构的研究因素和水平选取 | 第91页 |
| 5.1.2 正交阵列的排布和绒面陷光性能指标的设计 | 第91-92页 |
| 5.1.3 本征制备绒面正交实验结果分析 | 第92-95页 |
| 5.1.4 本征制备绒面的最优实验结果验证 | 第95-97页 |
| 5.2 “过渡层”对刻蚀薄膜绒面的影响 | 第97-98页 |
| 5.3 绒面ZnO: W-TCO薄膜电学性能和绒面效果稳定性的检验测试 | 第98-99页 |
| 5.4 本章小结 | 第99-100页 |
| 第六章 总结与展望 | 第100-103页 |
| 6.1 总结 | 第100-101页 |
| 6.2 展望 | 第101-103页 |
| 致谢 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-110页 |
| 硕士期间的科研成果及获得荣誉 | 第110-111页 |
