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镍/碳化硅纳米线复合电极的制备及其光电催化性能研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第11-25页
    1.1 引言第11页
    1.2 碳化硅的晶体结构与性质第11-13页
        1.2.1 碳化硅的晶体结构第11-12页
        1.2.2 碳化硅的性质第12-13页
    1.3 碳化硅纳米材料的制备第13-15页
        1.3.1 一维碳化硅纳米材料的制备第13-15页
            1.3.1.1 碳热还原法第13-14页
            1.3.1.2 模板法第14页
            1.3.1.3 电弧放电法第14页
            1.3.1.4 激光烧蚀法第14-15页
            1.3.1.5 化学气相沉积法第15页
        1.3.2 SiC纳米线薄膜的制备第15页
    1.4 碳化硅的光催化及光电催化研究进展第15-18页
        1.4.1 碳化硅的光电催化第15-17页
        1.4.2 改性碳化硅的光电催化第17-18页
            1.4.2.1 构建异质结第17-18页
            1.4.2.2 离子掺杂第18页
            1.4.2.3 贵金属负载第18页
    1.5 课题研究的意义、目的与内容第18-20页
        1.5.1 课题研究的意义与目的第18-19页
        1.5.2 课题研究内容第19-20页
    参考文献第20-25页
第二章 实验及测试方法第25-30页
    2.1 实验原料及试剂第25-26页
    2.2 实验设备第26页
    2.3 实验方法第26-28页
        2.3.1 石墨纸基底SiC纳米线薄膜的制备第26-27页
        2.3.2 复合电极的制备第27-28页
            2.3.2.1 实验装置第27页
            2.3.2.2 电沉积过程第27-28页
            2.3.2.3 Ni/SiC复合电极的制备第28页
            2.3.2.4 Ni_3S_2/SiC复合电极的制备第28页
    2.4 测试与表征第28-30页
        2.4.1 X射线衍射分析(XRD)第28页
        2.4.2 场发射扫描电子显微镜(FESEM)第28-29页
        2.4.3 X射线能谱(EDS)第29页
        2.4.4 紫外可见分光光度计(Uv-vis)第29页
        2.4.5 光电催化性能表征第29-30页
第三章 Ni/SiC纳米线复合电极的制备及其光电催化性能研究第30-43页
    3.1 引言第30页
    3.2 实验部分第30-31页
    3.3 实验结果与分析第31-39页
        3.3.1 Ni/SiC纳米线薄膜的结构特性第31-34页
        3.3.2 不同沉积时间对产物形貌的影响第34-35页
        3.3.3 Ni/SiC纳米线薄膜的光电催化性能研究第35-38页
        3.3.4 Ni/SiC纳米线薄膜光电催化的机理探讨第38-39页
    3.4 本章小结第39-41页
    参考文献第41-43页
第四章 Ni_3S_2/SiC纳米线复合电极的制备及其光电催化性能研究第43-54页
    4.1 引言第43页
    4.2 实验部分第43页
    4.3 实验结果与分析第43-50页
        4.3.1 Ni_3S_2/SiC纳米线薄膜的结构特性第43-46页
        4.3.2 不同沉积时间对产物形貌的影响第46-47页
        4.3.3 Ni_3S_2/SiC纳米线薄膜的光电催化析氢性能研究第47-50页
        4.3.4 Ni_3S_2/SiC纳米线薄膜光电催化的机理探讨第50页
    4.4 本章小结第50-52页
    参考文献第52-54页
第五章 结论与展望第54-56页
攻读硕士学位期间发表的论文及申请的专利情况第56-57页
致谢第57页

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