| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 碳化硅的晶体结构与性质 | 第11-13页 |
| 1.2.1 碳化硅的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 碳化硅的性质 | 第12-13页 |
| 1.3 碳化硅纳米材料的制备 | 第13-15页 |
| 1.3.1 一维碳化硅纳米材料的制备 | 第13-15页 |
| 1.3.1.1 碳热还原法 | 第13-14页 |
| 1.3.1.2 模板法 | 第14页 |
| 1.3.1.3 电弧放电法 | 第14页 |
| 1.3.1.4 激光烧蚀法 | 第14-15页 |
| 1.3.1.5 化学气相沉积法 | 第15页 |
| 1.3.2 SiC纳米线薄膜的制备 | 第15页 |
| 1.4 碳化硅的光催化及光电催化研究进展 | 第15-18页 |
| 1.4.1 碳化硅的光电催化 | 第15-17页 |
| 1.4.2 改性碳化硅的光电催化 | 第17-18页 |
| 1.4.2.1 构建异质结 | 第17-18页 |
| 1.4.2.2 离子掺杂 | 第18页 |
| 1.4.2.3 贵金属负载 | 第18页 |
| 1.5 课题研究的意义、目的与内容 | 第18-20页 |
| 1.5.1 课题研究的意义与目的 | 第18-19页 |
| 1.5.2 课题研究内容 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-25页 |
| 第二章 实验及测试方法 | 第25-30页 |
| 2.1 实验原料及试剂 | 第25-26页 |
| 2.2 实验设备 | 第26页 |
| 2.3 实验方法 | 第26-28页 |
| 2.3.1 石墨纸基底SiC纳米线薄膜的制备 | 第26-27页 |
| 2.3.2 复合电极的制备 | 第27-28页 |
| 2.3.2.1 实验装置 | 第27页 |
| 2.3.2.2 电沉积过程 | 第27-28页 |
| 2.3.2.3 Ni/SiC复合电极的制备 | 第28页 |
| 2.3.2.4 Ni_3S_2/SiC复合电极的制备 | 第28页 |
| 2.4 测试与表征 | 第28-30页 |
| 2.4.1 X射线衍射分析(XRD) | 第28页 |
| 2.4.2 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第28-29页 |
| 2.4.3 X射线能谱(EDS) | 第29页 |
| 2.4.4 紫外可见分光光度计(Uv-vis) | 第29页 |
| 2.4.5 光电催化性能表征 | 第29-30页 |
| 第三章 Ni/SiC纳米线复合电极的制备及其光电催化性能研究 | 第30-43页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 实验部分 | 第30-31页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第31-39页 |
| 3.3.1 Ni/SiC纳米线薄膜的结构特性 | 第31-34页 |
| 3.3.2 不同沉积时间对产物形貌的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.3 Ni/SiC纳米线薄膜的光电催化性能研究 | 第35-38页 |
| 3.3.4 Ni/SiC纳米线薄膜光电催化的机理探讨 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第四章 Ni_3S_2/SiC纳米线复合电极的制备及其光电催化性能研究 | 第43-54页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 实验部分 | 第43页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第43-50页 |
| 4.3.1 Ni_3S_2/SiC纳米线薄膜的结构特性 | 第43-46页 |
| 4.3.2 不同沉积时间对产物形貌的影响 | 第46-47页 |
| 4.3.3 Ni_3S_2/SiC纳米线薄膜的光电催化析氢性能研究 | 第47-50页 |
| 4.3.4 Ni_3S_2/SiC纳米线薄膜光电催化的机理探讨 | 第50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第五章 结论与展望 | 第54-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及申请的专利情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
