| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 Ga_2O_3材料的性质与应用 | 第10-12页 |
| 1.1.1 β-Ga_2O_3的结构 | 第10-11页 |
| 1.1.2 β-Ga_2O_3的电学性质 | 第11-12页 |
| 1.1.3 β-Ga_2O_3材料的光学特性 | 第12页 |
| 1.1.4 β-Ga_2O_3材料的应用 | 第12页 |
| 1.2 稀土元素简介 | 第12-14页 |
| 1.2.1 稀土元素的结构特征 | 第12-13页 |
| 1.2.2 稀土离子的发光性质 | 第13-14页 |
| 1.3 稀土掺杂Ga_2O_3材料的研究进展 | 第14页 |
| 1.4 本论文的研究工作 | 第14-16页 |
| 1.4.1 探讨Ga_2O_3薄膜的最佳生长条件 | 第14页 |
| 1.4.2 稀土掺杂Ga_2O_3薄膜的结构、光、电学特性的研究 | 第14页 |
| 1.4.3 Ga_2O_3薄膜光学常数的研究 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 薄膜的制备方法及分析手段 | 第19-28页 |
| 2.1 薄膜的生长原理 | 第19-20页 |
| 2.1.1 薄膜生长简介 | 第19页 |
| 2.1.2 薄膜生长的三种模式 | 第19-20页 |
| 2.2 常见的薄膜制备技术简介 | 第20-22页 |
| 2.2.1 化学气相沉积法 | 第20页 |
| 2.2.2 脉冲激光沉积法 | 第20页 |
| 2.2.3 溶胶凝胶法 | 第20页 |
| 2.2.4 磁控溅射技术 | 第20-22页 |
| 2.3 稀土元素压片的制作 | 第22-23页 |
| 2.3.1 压片机原理 | 第22-23页 |
| 2.3.2 制作压片过程 | 第23页 |
| 2.4 薄膜的表征技术 | 第23-25页 |
| 2.4.1 X射线衍射(XRD)原理 | 第23-24页 |
| 2.4.2 紫外吸收谱(UV-Vis Spectra) | 第24-25页 |
| 2.4.3 光致发光谱技术(Photoluminescence Spectra) | 第25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-28页 |
| 第三章 稀土掺杂Ga_2O_3薄膜的制备与表征 | 第28-41页 |
| 3.1 温度变化对薄膜生长的影响 | 第28-29页 |
| 3.1.1 实验安排 | 第28页 |
| 3.1.2 实验结果分析 | 第28-29页 |
| 3.2 Er掺杂Ga_2O_3薄膜的结构和光电学特性 | 第29-34页 |
| 3.2.1 实验 | 第29-30页 |
| 3.2.2 Er掺杂Ga_2O_3薄膜的结构特性 | 第30-31页 |
| 3.2.3 光吸收特性 | 第31-32页 |
| 3.2.4 光致发光特性 | 第32-33页 |
| 3.2.5 电学特性 | 第33-34页 |
| 3.3 Nd掺杂Ga_2O_3薄膜的制备与表征 | 第34-37页 |
| 3.3.1 Nd的性质和应用 | 第34页 |
| 3.3.2 Nd掺杂Ga_2O_3薄膜X射线衍射图谱 | 第34-35页 |
| 3.3.3 Nd掺杂Ga_2O_3薄膜的光吸收图谱 | 第35-36页 |
| 3.3.4 Nd掺杂Ga_2O_3薄膜的光致发光谱 | 第36页 |
| 3.3.5 Nd掺杂Ga_2O_3薄膜的电学特性 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第四章 Ga_2O_3薄膜光学常数的研究 | 第41-52页 |
| 4.1 概论 | 第41页 |
| 4.2 实验过程与计算方法 | 第41-46页 |
| 4.2.1 薄膜样品的制备 | 第41-42页 |
| 4.2.2 薄膜光学常数的计算 | 第42-46页 |
| 4.3 实验结果分析与讨论 | 第46-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第五章 结论与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 结论 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第55页 |
