| 摘要 | 第3-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 分子电子学概述 | 第11-13页 |
| 1.1.1 分子电子学的产生背景及概念 | 第11-12页 |
| 1.1.2 分子电子学的发展及研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2 自旋电子学简介 | 第13-14页 |
| 1.2.1 自旋电子学的产生背景及概念 | 第13-14页 |
| 1.3 石墨烯材料的简介 | 第14-17页 |
| 1.3.1 石墨烯的发现 | 第14-15页 |
| 1.3.2 石墨烯的原子结构和性质 | 第15-17页 |
| 1.4 石墨烯纳米带 | 第17-25页 |
| 1.4.1 石墨烯纳米带的电子结构 | 第17页 |
| 1.4.2 石墨烯纳米带的磁学性质研究 | 第17-25页 |
| 1.5 拟展开的研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 理论和计算方法 | 第27-44页 |
| 2.1 第一性原理计算方法 | 第27-30页 |
| 2.1.1 第一性原理的简介 | 第27页 |
| 2.1.2 第一性原理的三个基本近似 | 第27-30页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第30-33页 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi模型 | 第30页 |
| 2.2.2 Hohenberg-kohn定理 | 第30-31页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第31-33页 |
| 2.3 自旋极化密度泛函理论 | 第33-35页 |
| 2.3.1 交换关联函数 | 第33-35页 |
| 2.4 量子输运模型 | 第35-41页 |
| 2.4.1 非平衡格林函数方法 | 第36-41页 |
| 2.5 电流值计算 | 第41-43页 |
| 2.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 空位对石墨烯-氮化硼纳米带异质结的自旋输运性质的影响 | 第44-59页 |
| 3.1 引言 | 第44-46页 |
| 3.2 模型及研究方法 | 第46-48页 |
| 3.3 结果分析 | 第48-57页 |
| 3.3.1 氮原子空位和硼原子空位的影响 | 第48-57页 |
| 3.4 结论 | 第57-59页 |
| 第四章 栅极电压对含有B空位的石墨烯-氮化硼纳米带的自旋输运性质的影响 | 第59-74页 |
| 4.1 引言 | 第59-60页 |
| 4.2 模型及研究方法 | 第60-61页 |
| 4.3 结果分析 | 第61-73页 |
| 4.3.1 体系电荷自旋输运性质的栅极调控 | 第61-73页 |
| 4.4 结论 | 第73-74页 |
| 第五章 栅极电压对Phenalenyl分子模型的电子输运性质的影响 | 第74-84页 |
| 5.1 引言 | 第74-75页 |
| 5.2 模型和理论方法 | 第75-77页 |
| 5.3 结果和分析 | 第77-83页 |
| 5.3.1 中心分子不同的构型对输运性质的影响 | 第77-83页 |
| 5.4 结论 | 第83-84页 |
| 第六章 总结与展望 | 第84-86页 |
| 6.1 论文总结 | 第84-85页 |
| 6.2 工作展望 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-100页 |
| 在读期间发表的学术论文及研究成果 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
