| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| §1.1 研究背景及意义 | 第9-16页 |
| §1.2 驱动频率对硅薄膜沉积的影响 | 第16-19页 |
| §1.3 本文主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 样品的制备及实验方法 | 第20-32页 |
| §2.1 实验样品的制备 | 第20-21页 |
| §2.2 薄膜结构与性能分析方法 | 第21-26页 |
| 2.2.1 光谱椭偏测量 | 第21-22页 |
| 2.2.2 原子力显微镜（AFM）分析 | 第22-23页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第23页 |
| 2.2.4 拉曼（Raman）分析 | 第23-24页 |
| 2.2.5 傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）分析 | 第24-25页 |
| 2.2.6 X射线衍射（XRD）分析 | 第25页 |
| 2.2.7 水接触角分析 | 第25-26页 |
| §2.3 等离子体性能的诊断分析方法 | 第26-32页 |
| 2.3.1 Langmuir探针测量 | 第26-29页 |
| 2.3.2 拒斥场能量分析仪（RFEA）测量 | 第29-32页 |
| 第三章 驱动频率对硅薄膜结构的影响 | 第32-41页 |
| §3.1 硅薄膜的微结构分析 | 第32-38页 |
| 3.1.1 SEM分析 | 第32-34页 |
| 3.1.2 AFM分析 | 第34-38页 |
| §3.2 硅薄膜的键结构分析 | 第38-40页 |
| 3.2.1 拉曼分析 | 第38-39页 |
| 3.2.2 FTIR分析 | 第39-40页 |
| §3.3 硅薄膜的XRD分析 | 第40-41页 |
| 第四章 驱动频率对硅薄膜沉积及性能的影响 | 第41-50页 |
| §4.1 硅薄膜的光谱椭偏分析 | 第41-43页 |
| §4.2 驱动频率对硅薄膜沉积速率的影响 | 第43-44页 |
| §4.3 硅薄膜沉积的等离子体关联 | 第44-47页 |
| 4.3.1 离子能量分布 | 第44-45页 |
| 4.3.2 等离子体密度、电子温度、离子通量 | 第45页 |
| 4.3.3 电子能量分布 | 第45-46页 |
| 4.3.4 驱动频率影响硅薄膜沉积特性的机理分析 | 第46-47页 |
| §4.4 硅薄膜吸湿性能的水接触角分析 | 第47-50页 |
| 第五章 甚高频磁控溅射沉积类硅烯的初步研究 | 第50-57页 |
| §5.1 硅基底上甚高频磁控溅射沉积的硅薄膜结构特性 | 第52-53页 |
| §5.2 Ag基底上甚高频磁控溅射沉积的硅薄膜结构特性 | 第53-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-59页 |
| §6.1 本文研究的主要结果 | 第57-58页 |
| §6.2 存在的主要问题和进一步的研究方向 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文及科研成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |