| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 低维纳米材料简介 | 第9页 |
| 1.2 低维氧化物纳米材料 | 第9-10页 |
| 1.3 低维氧化镓纳米材料概述 | 第10-17页 |
| 1.3.1 氧化镓的结构及基本性质 | 第10-11页 |
| 1.3.2 氧化镓纳米结构的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.3.3 氧化镓纳米结构的生长机制 | 第13-14页 |
| 1.3.4 氧化镓纳米结构的缺陷发光性质 | 第14-16页 |
| 1.3.5 氧化镓纳米结构的应用 | 第16-17页 |
| 1.4 本文的选题依据及内容 | 第17-19页 |
| 第二章 实验设备及样品的表征方法 | 第19-25页 |
| 2.1 实验药品及仪器 | 第19-20页 |
| 2.2 样品的表征方法 | 第20-25页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第20-21页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜（TEM） | 第21页 |
| 2.2.3 X射线衍射（XRD） | 第21-22页 |
| 2.2.4 拉曼散射光谱（Raman） | 第22页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱（XPS） | 第22-23页 |
| 2.2.6 阴极射线发光光谱（CL） | 第23-25页 |
| 第三章 不同形貌 β-Ga_2O_3纳米结构的制备与表征 | 第25-37页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 化学气相沉积法制备 β-Ga_2O_3纳米结构 | 第25-26页 |
| 3.3 实验结果讨论 | 第26-34页 |
| 3.3.1 不同生长压强以及催化剂尺寸对样品形貌的影响 | 第27-30页 |
| 3.3.2 β-Ga_2O_3纳米线与纳米带的SEM表征 | 第30页 |
| 3.3.3 β-Ga_2O_3纳米线与纳米带的TEM表征 | 第30-31页 |
| 3.3.4 β-Ga_2O_3纳米线与纳米带的XRD分析 | 第31页 |
| 3.3.5 β-Ga_2O_3纳米线与纳米带的Raman分析 | 第31-32页 |
| 3.3.6 β-Ga_2O_3纳米线与纳米带的XPS分析 | 第32-33页 |
| 3.3.7 β-Ga_2O_3纳米线与纳米带的生长机理分析 | 第33-34页 |
| 3.4 基于 β-Ga_2O_3纳米结构的紫外探测器 | 第34-35页 |
| 3.4.1 器件的制备与测试 | 第34-35页 |
| 3.4.2 器件的性能分析 | 第35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 不同形貌 β-Ga_2O_3纳米结构的缺陷发光性质研究 | 第37-49页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 β-Ga_2O_3纳米线与纳米带的阴极射线发光现象 | 第37-41页 |
| 4.3 不同激发电压对 β-Ga_2O_3纳米线与纳米带发光峰的影响 | 第41-44页 |
| 4.3.1 不同激发电压对 β-Ga_2O_3纳米线发光峰的影响 | 第42-43页 |
| 4.3.2 不同激发电压对 β-Ga_2O_3纳米带发光峰的影响 | 第43-44页 |
| 4.4 空气退火处理对 β-Ga_2O_3纳米线与纳米带发光峰的影响 | 第44-46页 |
| 4.4.1 样品的空气退火处理 | 第44页 |
| 4.4.2 空气退火处理对 β-Ga_2O_3纳米线发光峰的影响 | 第44-45页 |
| 4.4.3 空气退火处理对 β-Ga_2O_3纳米带发光峰的影响 | 第45-46页 |
| 4.5 等离子体处理对 β-Ga_2O_3纳米线与纳米带发光峰的影响 | 第46-48页 |
| 4.5.1 样品的等离子体处理 | 第46-47页 |
| 4.5.2 氩等离子体对 β-Ga_2O_3纳米线与纳米带发光峰的影响 | 第47页 |
| 4.5.3 氧等离子体对 β-Ga_2O_3纳米线与纳米带发光峰的影响 | 第47-48页 |
| 4.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 结论与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 结论 | 第49页 |
| 5.2 展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与会议情况 | 第59页 |
