摘要 | 第8-10页 |
ABSTRACT | 第10-11页 |
符号说明 | 第12-13页 |
第一章 绪论 | 第13-24页 |
1.1 引言 | 第13页 |
1.2 透明导电氧化物薄膜 | 第13-15页 |
1.2.1 氧化铟基TCO薄膜 | 第14页 |
1.2.2 氧化锡基TCO薄膜 | 第14-15页 |
1.2.3 氧化锌基TCO薄膜 | 第15页 |
1.3 透明导电氧化物薄膜制备技术 | 第15-19页 |
1.3.1 磁控溅射沉积 | 第16页 |
1.3.2 化学气相沉积 | 第16-17页 |
1.3.3 真空蒸发沉积 | 第17页 |
1.3.4 分子束外延沉积 | 第17-18页 |
1.3.5 激光脉冲沉积 | 第18-19页 |
1.4 透明导电氧化物薄膜的主要应用 | 第19-20页 |
1.5 ITZO薄膜的研究现状 | 第20-22页 |
1.6 课题研究的主要内容和意义 | 第22-24页 |
第二章 薄膜的制备及表征 | 第24-38页 |
2.1 薄膜制备方法及原理 | 第24-26页 |
2.2 ITZO薄膜的制备 | 第26-29页 |
2.2.1 实验仪器介绍 | 第26-28页 |
2.2.2 衬底清洗过程 | 第28-29页 |
2.2.3 薄膜制备过程 | 第29页 |
2.3 薄膜的表征方法及原理 | 第29-38页 |
2.3.1 薄膜厚度的测量 | 第29-31页 |
2.3.2 薄膜光学特性的测量 | 第31-32页 |
2.3.3 薄膜电学性能的测量 | 第32-34页 |
2.3.4 薄膜结构特性的测量 | 第34-35页 |
2.3.5 薄膜表面形貌的表征 | 第35-38页 |
第三章 ITZO薄膜性能的研究 | 第38-51页 |
3.1 射频溅射功率对ITZO薄膜特性的影响 | 第38-44页 |
3.1.1 射频功率对薄膜沉积速率的影响 | 第38-39页 |
3.1.2 射频功率对ITZO薄膜结构特性的影响 | 第39-40页 |
3.1.3 射频功率对ITZO薄膜表面形貌的影响 | 第40-41页 |
3.1.4 射频功率对ITZO薄膜电学特性的影响 | 第41-43页 |
3.1.5 射频功率对ITZO薄膜光学性能的影响 | 第43-44页 |
3.2 溅射气压对ITZO薄膜特性的影响 | 第44-47页 |
3.2.1 溅射气压对ITZO薄膜电学性能的影响 | 第45-46页 |
3.2.2 溅射气压对ITZO薄膜光学性能的影响 | 第46页 |
3.2.3 溅射气压对ITZO薄膜表面形貌的影响 | 第46-47页 |
3.3 厚度对ITZO薄膜特性的影响 | 第47-51页 |
3.3.1 厚度对ITZO薄膜电学性能影响 | 第47-48页 |
3.3.2 厚度对ITZO薄膜光学性能的影响 | 第48-49页 |
3.3.3 厚度对ITZO薄膜表面形貌的影响 | 第49-51页 |
第四章 基于1TZO薄膜的同质ITZO-TFT的制备 | 第51-56页 |
4.1 同质ITZO-TFT的制备及表征 | 第51-54页 |
4.2 同质ITZO-TFT的电学性能 | 第54-56页 |
第五章 结论 | 第56-59页 |
5.1 主要成果 | 第56-57页 |
5.2 主要创新点 | 第57页 |
5.3 后续研究重点 | 第57-59页 |
参考文献 | 第59-65页 |
致谢 | 第65-67页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第67-68页 |
附件 | 第68页 |