| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-31页 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第14-15页 |
| 1.2 VO_2薄膜制备方法 | 第15-21页 |
| 1.2.1 直流溅射 | 第15-16页 |
| 1.2.2 射频溅射 | 第16-18页 |
| 1.2.3 高功率脉冲磁控溅射 | 第18-20页 |
| 1.2.4 其它制备方法 | 第20-21页 |
| 1.3 VO_2薄膜相变特性的调控方法 | 第21-25页 |
| 1.3.1 掺杂 | 第21-22页 |
| 1.3.2 改变基片以及取向 | 第22-23页 |
| 1.3.3 改变制备参数 | 第23-25页 |
| 1.4 VO_2薄膜的相变机理研究 | 第25-30页 |
| 1.4.1 Peierls相变 | 第25-28页 |
| 1.4.2 Mott相变 | 第28-30页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第30-31页 |
| 第2章 试验材料及方法 | 第31-35页 |
| 2.1 试验材料 | 第31页 |
| 2.2 试验设备 | 第31-32页 |
| 2.3 薄膜制备方案 | 第32-33页 |
| 2.4 薄膜分析测试方法 | 第33-35页 |
| 2.4.1 等离子体特性分析 | 第33页 |
| 2.4.2 薄膜结构分析 | 第33页 |
| 2.4.3 薄膜形貌表征 | 第33-34页 |
| 2.4.4 薄膜相变特性表征 | 第34-35页 |
| 第3章 VO_2薄膜的HiPIMS沉积工艺研究 | 第35-72页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 等离子体及放电特性研究 | 第35-39页 |
| 3.2.1 金属模式等离子体及放电特性研究 | 第35-38页 |
| 3.2.2 氧化模式等离子体及放电特性研究 | 第38-39页 |
| 3.3 氧流量对薄膜物相及形貌的影响 | 第39-46页 |
| 3.3.1 Ar/O比范围确定 | 第39-40页 |
| 3.3.2 不同氧流量薄膜的HiPIMS沉积 | 第40-46页 |
| 3.4 峰值电流对薄膜物相及形貌的影响 | 第46-51页 |
| 3.5 基片偏压对薄膜物相及形貌的影响 | 第51-63页 |
| 3.5.1 偏压对石英玻璃基片上两步法沉积VO_2薄膜的影响 | 第52-58页 |
| 3.5.2 偏压对ITO基片上一步法沉积VO_2薄膜的影响 | 第58-63页 |
| 3.6 溅射时间对薄膜物相及形貌的影响 | 第63-71页 |
| 3.7 本章小结 | 第71-72页 |
| 第4章 VO_2薄膜的相变特性研究 | 第72-84页 |
| 4.1 引言 | 第72页 |
| 4.2 不同氧流量制备薄膜的相变特性研究 | 第72-75页 |
| 4.3 不同峰值电流制备薄膜的相变特性研究 | 第75-77页 |
| 4.4 不同偏压制备薄膜的相变特性研究 | 第77-79页 |
| 4.4.1 石英玻璃基片两步法沉积薄膜的相变特性 | 第77-78页 |
| 4.4.2 ITO基片上一步法沉积薄膜的相变特性 | 第78-79页 |
| 4.5 不同沉积时间制备薄膜的相变特性研究 | 第79-82页 |
| 4.6 本章小结 | 第82-84页 |
| 第5章 VO_2薄膜的相变温度调控机理研究 | 第84-114页 |
| 5.1 引言 | 第84页 |
| 5.2 晶格畸变对相变温度的影响 | 第84-101页 |
| 5.2.1 不同氧流量制备薄膜的室温晶格畸变研究 | 第84-88页 |
| 5.2.2 薄膜的相变过程研究及高温结构验证 | 第88-92页 |
| 5.2.3 晶格畸变对相变温度调控的分子动力学模拟 | 第92-101页 |
| 5.3 相变过程的结构变化对相变温度的影响 | 第101-106页 |
| 5.3.1 不同峰值电流制备薄膜的室温晶格畸变研究 | 第101-102页 |
| 5.3.2 不同峰值电流制备薄膜的相变过程研究 | 第102-106页 |
| 5.4 晶粒尺寸对相变温度的影响 | 第106-112页 |
| 5.4.1 不同偏压制备薄膜的微观结构研究 | 第106-108页 |
| 5.4.2 VO_2(M)的Mott相变试验及理论验证 | 第108-112页 |
| 5.5 本章小结 | 第112-114页 |
| 结论 | 第114-116页 |
| 创新点 | 第116页 |
| 展望 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-128页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第128-130页 |
| 致谢 | 第130-131页 |
| 个人简历 | 第131页 |
