| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 新磁学的研究内容和发展趋势 | 第10-11页 |
| 1.2 磁电阻效应 | 第11-14页 |
| 1.2.1 巨磁阻效应(Giant Magnetoresistance,GMR) | 第11-13页 |
| 1.2.2 隧穿磁阻效应(Tunnelling Magnetoresistance,TMR) | 第13-14页 |
| 1.3 自旋转移矩(Spin Transfer Torque,STT) | 第14-17页 |
| 1.4 赛道存储器(Racetrack Memory) | 第17-18页 |
| 1.5 自旋矩纳米振荡器(Spin-torque Nano-oscillators,STNOs) | 第18-20页 |
| 1.6 本论文的主要内容 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-26页 |
| 第二章 微磁学基础 | 第26-40页 |
| 2.1 微磁学连续介质理论 | 第26-33页 |
| 2.1.1 交换能 | 第27页 |
| 2.1.2 磁晶各向异性能 | 第27-29页 |
| 2.1.3 静磁能 | 第29-30页 |
| 2.1.4 静态Brown方程 | 第30页 |
| 2.1.5 动态LLG方程 | 第30-33页 |
| 2.2 数值微磁学 | 第33-34页 |
| 2.2.1 有限差分方法(Finite Difference Method,FDM) | 第34页 |
| 2.2.2 有限元方法(Finite Element Method,FEM) | 第34页 |
| 2.3 常用微磁学软件介绍 | 第34-37页 |
| 参考文献 | 第37-40页 |
| 第三章 180°畴壁移动 | 第40-72页 |
| 3.1 纳米带—纳米栅系统中电流驱动畴壁移动 | 第43-51页 |
| 3.1.1 研究体系及建模 | 第43-44页 |
| 3.1.2 结果与讨论 | 第44-51页 |
| 3.1.3 小结 | 第51页 |
| 3.2 纳米带横截面形状对畴壁移动的影响 | 第51-58页 |
| 3.2.1 模型设计及微磁学方法 | 第52-53页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第53-57页 |
| 3.2.3 小结与展望 | 第57-58页 |
| 3.3 Dzyaloshinskii-Moriya相互作用对畴壁运动的影响 | 第58-66页 |
| 3.3.1 微磁学模型的建立 | 第59页 |
| 3.3.2 结果与讨论 | 第59-65页 |
| 3.3.3 小结 | 第65-66页 |
| 3.4 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 第四章 电流驱动360°畴壁移动 | 第72-80页 |
| 4.1 模型建立与微磁学方法 | 第72-73页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第73-78页 |
| 4.3 结论与展望 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-80页 |
| 第五章 涡旋态之间的相位锁定研究 | 第80-106页 |
| 5.1 偶极耦合的两涡旋态之间的相位锁定 | 第82-89页 |
| 5.1.1 模型建立及微磁学方法 | 第82-83页 |
| 5.1.2 结果与讨论 | 第83-89页 |
| 5.1.3 小结与展望 | 第89页 |
| 5.2 连接桥耦合的两涡旋态之间的相位锁定 | 第89-100页 |
| 5.2.1 微磁学模型的建立 | 第90-91页 |
| 5.2.2 结果与讨论 | 第91-100页 |
| 5.2.3 小结 | 第100页 |
| 5.3 结论 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-106页 |
| 第六章 自旋转移矩激发磁孤子的动态过程研究 | 第106-120页 |
| 6.1 微磁学模型 | 第107-108页 |
| 6.2 结果与讨论 | 第108-115页 |
| 6.2.1 无DMI情况下磁孤子的激发 | 第108-112页 |
| 6.2.2 DMI对磁孤子形核类型及动力学过程的影响 | 第112-115页 |
| 6.3 总结与工作展望 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-120页 |
| 第七章 结论和工作展望 | 第120-123页 |
| 7.1 本论文得到的主要结论 | 第120-122页 |
| 7.1.1 关于180°畴壁运动的研究 | 第120-121页 |
| 7.1.2 关于360°畴壁运动的研究 | 第121页 |
| 7.1.3 相互耦合的涡旋态的锁相 | 第121-122页 |
| 7.1.4 不同类型磁孤子的激发及动态过程研究 | 第122页 |
| 7.2 工作展望 | 第122-123页 |
| 在学期间的研究成果 | 第123-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |
