摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
注释表 | 第16-17页 |
第一章 绪论 | 第17-25页 |
1.1 引言 | 第17-18页 |
1.2 石墨烯与六方氮化硼 | 第18-22页 |
1.2.1 石墨烯纳米结构的研究背景及相关性质 | 第18-21页 |
1.2.2 六方氮化硼纳米结构的研究背景及其性质 | 第21-22页 |
1.3 类石墨烯二维材料的研究进展 | 第22-23页 |
1.4 磷化硼相关材料的研究背景 | 第23-24页 |
1.5 本文的主要研究工作 | 第24-25页 |
第二章 研究中使用的基本理论和方法 | 第25-36页 |
2.1 第一性原理计算方法概述 | 第25-26页 |
2.2 BORN-OPPENHEIMER近似与HARTREE-FOCK 近似 | 第26-27页 |
2.3 密度泛函理论简介 | 第27-31页 |
2.3.1 Hohenberg-Kohn理论 | 第27-28页 |
2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第28-29页 |
2.3.3 交换关联泛函 | 第29-31页 |
2.4 密度泛函的求解:平面波基矢和赝势 | 第31-34页 |
2.4.1 平面波方法 | 第31-32页 |
2.4.2 赝势 | 第32-34页 |
2.5 量子力学计算软件VASP简介 | 第34-36页 |
第三章 石墨烯与氮化硼纳米带堆垛结构的电子自旋性质 | 第36-53页 |
3.1 氮化硼纳米带基底对石墨烯纳米带的电子自旋性质的影响 | 第36-44页 |
3.1.1 研究背景 | 第36-37页 |
3.1.2 计算模型和计算细节介绍 | 第37-38页 |
3.1.3 锯齿型石墨烯与氮化硼纳米带堆垛结构的电子自旋性质 | 第38-41页 |
3.1.4 横向电场对锯齿型石墨烯与氮化硼纳米带堆垛结构的电子自旋性质的影响 | 第41-42页 |
3.1.5 扶椅型石墨烯与氮化硼纳米带堆垛结构的电子性质 | 第42-43页 |
3.1.6 扶椅型石墨烯与氮化硼纳米带堆垛结构的载流子有效电子质量 | 第43-44页 |
3.2 石墨烯和氮化硼纳米带三明治结构的电子自旋性质 | 第44-51页 |
3.2.1 研究背景 | 第44-45页 |
3.2.2 计算模型和计算细节介绍 | 第45-46页 |
3.2.3 三明治结构的稳定性及电子性质 | 第46-47页 |
3.2.4 三明治结构的电子和磁性质的偏压调控 | 第47-50页 |
3.2.5 三明治结构的电子和磁性质的应变调控 | 第50-51页 |
3.3 本章小结 | 第51-53页 |
第四章 类石墨烯二维材料的电子和磁学性质 | 第53-70页 |
4.1 六方硫化铍晶体和纳米结构的电子自旋性质 | 第53-62页 |
4.1.1 研究背景 | 第53页 |
4.1.2 计算模型和计算细节介绍 | 第53-54页 |
4.1.3 六方硫化铍的结构及稳定性 | 第54-56页 |
4.1.4 六方硫化铍的电子性质 | 第56页 |
4.1.5 扶椅型硫化铍纳米带的电子性质 | 第56-59页 |
4.1.6 锯齿形硫化铍纳米带的自旋玻璃态 | 第59-61页 |
4.1.7 锯齿形硫化铍纳米带的磁性与纳米带宽度的关系 | 第61页 |
4.1.8 硫化铍纳米带和片层的相对稳定性 | 第61-62页 |
4.2 六方磷化硼的电子自旋性质 | 第62-69页 |
4.2.1 研究背景 | 第62-63页 |
4.2.2 计算模型和计算细节介绍 | 第63-64页 |
4.2.3 单层磷化硼的电子性质 | 第64-65页 |
4.2.4 应变对单纯磷化硼带隙的调控 | 第65-66页 |
4.2.5 半氢化对单纯磷化硼结构和电子自旋性质的影响 | 第66-67页 |
4.2.6 应变对半氢化的磷化硼的磁性的调制 | 第67-68页 |
4.2.7 单层磷化硼及其半氢化结构的声子谱 | 第68-69页 |
4.3 本章小结 | 第69-70页 |
第五章 磷化硼片层和纳米薄膜的电子性质和磁学性质 | 第70-78页 |
5.1 研究背景 | 第70页 |
5.2 计算模型和计算细节介绍 | 第70-71页 |
5.3 磷化硼纳米薄膜的结构及其稳定性 | 第71-72页 |
5.4 磷化硼纳米薄膜的电子自旋性质 | 第72-73页 |
5.5 磷化硼纳米薄膜的磁电效应及起源 | 第73-75页 |
5.6 磷化硼纳米薄膜表面磁性的厚度效应 | 第75-76页 |
5.7 磷化硼纳米薄膜表面磁性的应变调控 | 第76-77页 |
5.8 本章小结 | 第77-78页 |
第六章 总结与展望 | 第78-80页 |
6.1 主要工作总结 | 第78-79页 |
6.2 后续工作展望 | 第79-80页 |
参考文献 | 第80-95页 |
致谢 | 第95-96页 |
在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第96-97页 |