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二维材料及其纳米结构的力电磁耦合特性

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
注释表第16-17页
第一章 绪论第17-25页
    1.1 引言第17-18页
    1.2 石墨烯与六方氮化硼第18-22页
        1.2.1 石墨烯纳米结构的研究背景及相关性质第18-21页
        1.2.2 六方氮化硼纳米结构的研究背景及其性质第21-22页
    1.3 类石墨烯二维材料的研究进展第22-23页
    1.4 磷化硼相关材料的研究背景第23-24页
    1.5 本文的主要研究工作第24-25页
第二章 研究中使用的基本理论和方法第25-36页
    2.1 第一性原理计算方法概述第25-26页
    2.2 BORN-OPPENHEIMER近似与HARTREE-FOCK 近似第26-27页
    2.3 密度泛函理论简介第27-31页
        2.3.1 Hohenberg-Kohn理论第27-28页
        2.3.2 Kohn-Sham方程第28-29页
        2.3.3 交换关联泛函第29-31页
    2.4 密度泛函的求解:平面波基矢和赝势第31-34页
        2.4.1 平面波方法第31-32页
        2.4.2 赝势第32-34页
    2.5 量子力学计算软件VASP简介第34-36页
第三章 石墨烯与氮化硼纳米带堆垛结构的电子自旋性质第36-53页
    3.1 氮化硼纳米带基底对石墨烯纳米带的电子自旋性质的影响第36-44页
        3.1.1 研究背景第36-37页
        3.1.2 计算模型和计算细节介绍第37-38页
        3.1.3 锯齿型石墨烯与氮化硼纳米带堆垛结构的电子自旋性质第38-41页
        3.1.4 横向电场对锯齿型石墨烯与氮化硼纳米带堆垛结构的电子自旋性质的影响第41-42页
        3.1.5 扶椅型石墨烯与氮化硼纳米带堆垛结构的电子性质第42-43页
        3.1.6 扶椅型石墨烯与氮化硼纳米带堆垛结构的载流子有效电子质量第43-44页
    3.2 石墨烯和氮化硼纳米带三明治结构的电子自旋性质第44-51页
        3.2.1 研究背景第44-45页
        3.2.2 计算模型和计算细节介绍第45-46页
        3.2.3 三明治结构的稳定性及电子性质第46-47页
        3.2.4 三明治结构的电子和磁性质的偏压调控第47-50页
        3.2.5 三明治结构的电子和磁性质的应变调控第50-51页
    3.3 本章小结第51-53页
第四章 类石墨烯二维材料的电子和磁学性质第53-70页
    4.1 六方硫化铍晶体和纳米结构的电子自旋性质第53-62页
        4.1.1 研究背景第53页
        4.1.2 计算模型和计算细节介绍第53-54页
        4.1.3 六方硫化铍的结构及稳定性第54-56页
        4.1.4 六方硫化铍的电子性质第56页
        4.1.5 扶椅型硫化铍纳米带的电子性质第56-59页
        4.1.6 锯齿形硫化铍纳米带的自旋玻璃态第59-61页
        4.1.7 锯齿形硫化铍纳米带的磁性与纳米带宽度的关系第61页
        4.1.8 硫化铍纳米带和片层的相对稳定性第61-62页
    4.2 六方磷化硼的电子自旋性质第62-69页
        4.2.1 研究背景第62-63页
        4.2.2 计算模型和计算细节介绍第63-64页
        4.2.3 单层磷化硼的电子性质第64-65页
        4.2.4 应变对单纯磷化硼带隙的调控第65-66页
        4.2.5 半氢化对单纯磷化硼结构和电子自旋性质的影响第66-67页
        4.2.6 应变对半氢化的磷化硼的磁性的调制第67-68页
        4.2.7 单层磷化硼及其半氢化结构的声子谱第68-69页
    4.3 本章小结第69-70页
第五章 磷化硼片层和纳米薄膜的电子性质和磁学性质第70-78页
    5.1 研究背景第70页
    5.2 计算模型和计算细节介绍第70-71页
    5.3 磷化硼纳米薄膜的结构及其稳定性第71-72页
    5.4 磷化硼纳米薄膜的电子自旋性质第72-73页
    5.5 磷化硼纳米薄膜的磁电效应及起源第73-75页
    5.6 磷化硼纳米薄膜表面磁性的厚度效应第75-76页
    5.7 磷化硼纳米薄膜表面磁性的应变调控第76-77页
    5.8 本章小结第77-78页
第六章 总结与展望第78-80页
    6.1 主要工作总结第78-79页
    6.2 后续工作展望第79-80页
参考文献第80-95页
致谢第95-96页
在学期间的研究成果及发表的学术论文第96-97页

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