| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 钙钛矿太阳能电池原理 | 第10-13页 |
| 1.2.1 钙钛矿材料的晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 有机-无机杂化钙钛矿材料的性质 | 第11-12页 |
| 1.2.3 钙钛矿太阳能电池的工作原理 | 第12-13页 |
| 1.3 钙钛矿太阳能电池的发展 | 第13-15页 |
| 1.3.1 介孔结构的发展 | 第13-14页 |
| 1.3.2 平面结构的发展 | 第14-15页 |
| 1.4 钙钛矿薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
| 1.4.1 一步溶液法 | 第15页 |
| 1.4.2 两步溶液法 | 第15-16页 |
| 1.4.3 气相沉积法 | 第16-17页 |
| 1.5 钙钛矿太阳能电池的界面工程 | 第17-18页 |
| 1.5.1 电子传输层的界面修饰 | 第17页 |
| 1.5.2 阴极缓冲层的界面修饰 | 第17-18页 |
| 1.5.3 阳极缓冲层的界面修饰 | 第18页 |
| 1.6 钙钛矿太阳能电池的稳定性 | 第18-20页 |
| 1.6.1 水分对稳定性的影响 | 第19页 |
| 1.6.2 光照对稳定性的影响 | 第19页 |
| 1.6.3 温度对稳定性的影响 | 第19页 |
| 1.6.4 界面对稳定性的影响 | 第19-20页 |
| 1.7 本文研究目的及主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 ITIC与PVK共掺杂PCBM对钙钛矿电池性能的影响 | 第21-39页 |
| 2.1 前言 | 第21-22页 |
| 2.2 实验部分 | 第22-25页 |
| 2.2.1 实验药品 | 第22-23页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第23页 |
| 2.2.3 器件的制备 | 第23-25页 |
| 2.3 PbI_2薄膜/钙钛矿薄膜/PCBM薄膜分析 | 第25-29页 |
| 2.3.1 PbI_2基底温度对PbI_2薄膜和钙钛矿薄膜形貌的影响 | 第25-26页 |
| 2.3.2 PbI_2基底温度对PbI_2薄膜和钙钛矿薄膜厚度的影响 | 第26-27页 |
| 2.3.3 PbI_2基底温度对钙钛矿薄膜结构的影响 | 第27-28页 |
| 2.3.4 钙钛矿薄膜与PCBM薄膜形貌分析 | 第28-29页 |
| 2.4 对PCBM中添加PVK的薄膜与器件的优化 | 第29-33页 |
| 2.4.1 不同转速条件下薄膜形貌及厚度分析 | 第29-31页 |
| 2.4.2 不同转速条件下薄膜的表面光电压谱（SPS） | 第31-32页 |
| 2.4.3 不同转速条件下器件的J-V特性曲线 | 第32-33页 |
| 2.5 ITIC与PVK共掺杂PCBM对钙钛矿电池性能的影响 | 第33-38页 |
| 2.5.1 添加不同浓度ITIC的AFM形貌分析 | 第33-34页 |
| 2.5.2 添加不同浓度ITIC的表面光电压谱（SPS） | 第34-35页 |
| 2.5.3 薄膜的紫外可见吸收光谱 | 第35页 |
| 2.5.4 共掺杂电子传输层器件的J-V特性曲线 | 第35-37页 |
| 2.5.5 共掺杂电子传输层器件的稳定性 | 第37-38页 |
| 2.6 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 PTCDI-C8作为阴极修饰层的钙钛矿太阳能电池的研究 | 第39-50页 |
| 3.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.2 实验部分 | 第40页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第40页 |
| 3.2.2 仪器与设备 | 第40页 |
| 3.2.3 器件的制备 | 第40页 |
| 3.3 实验结果及讨论 | 第40-48页 |
| 3.3.1 薄膜的形貌分析 | 第40-44页 |
| 3.3.2 不同厚度PTCDI-C8薄膜的表面光电压谱（SPS） | 第44-45页 |
| 3.3.3 薄膜的紫外可见吸收光谱 | 第45页 |
| 3.3.4 不同厚度PTCDI-C8为阴极修饰层的器件的J-V特性曲线 | 第45-48页 |
| 3.3.5 不同厚度PTCDI-C8为阴极修饰层的器件的稳定性 | 第48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 总结及展望 | 第50-52页 |
| 4.1 全文总结 | 第50页 |
| 4.2 工作展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
