| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1 概述 | 第11-14页 |
| 1.1 半导体器件建模仿真技术 | 第11-12页 |
| 1.2 计算机技术在检测仪器上的应用 | 第12-14页 |
| 2 课题研究的目的与意义 | 第14-15页 |
| 3 国内外研究现状 | 第15-16页 |
| 4 功率二极管的基本工作原理 | 第16-20页 |
| 4.1 二极管的正向恢复特性 | 第17-18页 |
| 4.2 二极管的反向恢复特性 | 第18-20页 |
| 5 论文主要内容与安排 | 第20-21页 |
| 第二章 GaN/SiC异质结正向恢复行为的数值模拟 | 第21-35页 |
| 1 引言 | 第21-22页 |
| 2 GaN/SiC异质结建模 | 第22-25页 |
| 3 结果与分析 | 第25-32页 |
| 3.1 GaN/SiC异质结的正向恢复过程 | 第25-28页 |
| 3.2 N区载流子迁移率对GaN/SiC异质结正向恢复过程的影响 | 第28-29页 |
| 3.3 电流变化率对GaN/SiC异质结正向恢复过程的影响 | 第29-30页 |
| 3.4 N区掺杂浓度对GaN/SiC异质结正向恢复过程的影响 | 第30-31页 |
| 3.5 温度对GaN/SiC异质结正向恢复过程的影响 | 第31-32页 |
| 4 小结 | 第32-35页 |
| 第三章 6H-SiC/GaN异质结的正向I-V特性 | 第35-49页 |
| 1 引言 | 第35-36页 |
| 2 GaN/6H-SiC异质结的物理模型 | 第36-40页 |
| 3 结果与分析 | 第40-47页 |
| 3.1 GaN/6H-SiC异质结内载流子浓度分布 | 第40-41页 |
| 3.1.1 外加电压对GaN/6H-SiC异质结载流子浓度分布的影响 | 第40-41页 |
| 3.1.2 温度对GaN/6H-SiC异质结载流子浓度分布的影响 | 第41页 |
| 3.2 温度对GaN/6H-SiC异质结电容的影响 | 第41-42页 |
| 3.3 外加电压对GaN/6H-SiC异质结内载流子复合率的影响 | 第42-43页 |
| 3.4 GaN/6H-SiC异质结正向I-V特性 | 第43-47页 |
| 3.4.1 N区载流子寿命对GaN/6H-SiC异质结正向I-V特性的影响 | 第43-44页 |
| 3.4.2 N区掺杂浓度对GaN/6H-SiC异质结正向I-V特性的影响 | 第44-45页 |
| 3.4.3 P区掺杂浓度对GaN/6H-SiC异质结正向I-V特性的影响 | 第45-46页 |
| 3.4.4 P区载流子寿命对GaN/6H-SiC异质结正向I-V特性的影响 | 第46页 |
| 3.4.5 温度对GaN/6H-SiC异质结正向I-V特性的影响 | 第46-47页 |
| 4 小结 | 第47-49页 |
| 第四章 二极管反向恢复时间测试 | 第49-75页 |
| 1 引言 | 第49-50页 |
| 2 电路系统方案及控制流程 | 第50-57页 |
| 2.1 t_(rr)测试原理 | 第50-52页 |
| 2.2 t_(rr)测试系统方案的确定 | 第52-57页 |
| 2.2.1 稳定直流电源电路模块 | 第53页 |
| 2.2.2 t_(rr)波形的测试电路模块 | 第53-54页 |
| 2.2.3 t_(rr)信号处理电路模块 | 第54页 |
| 2.2.4 主控制及输入/输出电路模块 | 第54-55页 |
| 2.2.5 二极管自动分拣模块 | 第55-57页 |
| 3 硬件电路系统分析 | 第57-69页 |
| 3.1 整机系统 | 第57-58页 |
| 3.2 主要电路的设计 | 第58-69页 |
| 3.2.1 稳定直流电源电路设计 | 第58-59页 |
| 3.2.2 t_(rr)测试电路的设计 | 第59-63页 |
| 3.2.3 t_(rr)信号处理电路 | 第63-66页 |
| 3.2.4 主控、输入/输出电路 | 第66-67页 |
| 3.2.5 器件自动分拣电路 | 第67-69页 |
| 4 测试结果与分析 | 第69-73页 |
| 5 小结 | 第73-75页 |
| 第五章 结论与展望 | 第75-77页 |
| 1 结论 | 第75-76页 |
| 2 展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第87页 |
