SiC纳米晶体力学行为的分子动力学研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 纳米晶体力学性能的研究现状 | 第8-16页 |
| 1.1 纳米材料简介 | 第8-10页 |
| 1.1.1 纳米材料的定义和基本特性 | 第8-9页 |
| 1.1.2 纳米晶体材料的制备方法 | 第9-10页 |
| 1.2 纳米晶体力学性能的研究 | 第10-14页 |
| 1.2.1 金属纳米晶体的力学性能 | 第10-12页 |
| 1.2.2 半导体纳米晶体的力学性能 | 第12-14页 |
| 1.3 Si和SiC纳米晶体力学性能的研究意义 | 第14-16页 |
| 第2章 分子动力学研究方法 | 第16-25页 |
| 2.1 引言 | 第16-17页 |
| 2.2 分子动力学方法简介 | 第17-25页 |
| 2.2.1 分子动力学基本原理 | 第17-18页 |
| 2.2.2 数值积分方法 | 第18-20页 |
| 2.2.3 势函数 | 第20-22页 |
| 2.2.4 分子动力学方法的模拟条件 | 第22-25页 |
| 第3章 空洞缺陷对Si纳米晶体力学性能的影响 | 第25-33页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 计算模型和模拟条件 | 第25-26页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第26-31页 |
| 3.3.1 空洞大小对Si纳米晶体力学性能的影响 | 第26-29页 |
| 3.3.2 空洞位置对Si纳米晶体力学性能的影响 | 第29-31页 |
| 3.4 小结 | 第31-33页 |
| 第4章 SiC纳米晶体力学行为的研究 | 第33-43页 |
| 4.1 引言 | 第33页 |
| 4.2 单轴压缩下SiC纳米晶体的模型 | 第33-34页 |
| 4.3 势函数和模拟条件 | 第34-35页 |
| 4.4 模拟结果 | 第35-41页 |
| 4.4.1 SiC纳米晶体的尺寸效应 | 第35-39页 |
| 4.4.2 SiC纳米晶体的温度效应 | 第39-41页 |
| 4.5 小结 | 第41-43页 |
| 第5章 总结与展望 | 第43-45页 |
| 5.1 总结 | 第43页 |
| 5.2 展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 个人简历、攻读硕士期间完成的论文及参与的科研项目 | 第50页 |
