| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 稀磁半导体的研究概况 | 第10-11页 |
| 1.1.1 引言 | 第10页 |
| 1.1.2 稀磁半导体的研究历程 | 第10-11页 |
| 1.2 SiC基稀磁半导体 | 第11-21页 |
| 1.2.1 SiC的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 SiC基稀磁半导体的研究现状 | 第12-19页 |
| 1.2.3 SiC基稀磁半导体的存在问题 | 第19-21页 |
| 1.3 实验的研究目的与研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 SiC/Cu稀磁半导体纳米多层膜的制备与表征 | 第22-30页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第22-24页 |
| 2.1.1 薄膜制备的材料 | 第22页 |
| 2.1.2 基片的处理 | 第22-23页 |
| 2.1.3 薄膜制备的装置 | 第23页 |
| 2.1.4 薄膜制备的过程 | 第23-24页 |
| 2.2 薄膜的表征 | 第24-29页 |
| 2.2.1 台阶仪 | 第24页 |
| 2.2.2 X射线衍射（XRD） | 第24-25页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱（XPS） | 第25-26页 |
| 2.2.4 俄歇光电子能谱（AES） | 第26页 |
| 2.2.5 X射线吸收精细结构（XAFS） | 第26-27页 |
| 2.2.6 电输运性能测试 | 第27-28页 |
| 2.2.7 磁性测试系统（SQUID） | 第28-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 SiC/Cu稀磁半导体纳米多层膜的结构、成分分析 | 第30-47页 |
| 3.1 SiC/Cu稀磁半导体纳米多层膜的物相与结构 | 第30-35页 |
| 3.1.1 薄膜[SiC_χ-Cu]_(40)的X射线衍射 | 第30-32页 |
| 3.1.2 薄膜[SiC_χ-Cu]_(70)的物相与结构 | 第32-34页 |
| 3.1.3 薄膜[SiC-Cu_χ]_(30)的XRD衍射 | 第34-35页 |
| 3.2 SiC /Cu稀磁半导体纳米多层膜的价态与成分 | 第35-42页 |
| 3.2.1 薄膜[SiC_χ-Cu]_(40)的X射线光电子能谱分析 | 第35-37页 |
| 3.2.2 薄膜[SiC_χ-Cu]_(70)的成分与价态 | 第37-40页 |
| 3.2.3 薄膜[SiC-Cu_χ]_(30)的成分分析 | 第40-42页 |
| 3.3 SiC/Cu稀磁半导体纳米多层膜的局域结构 | 第42-45页 |
| 3.3.1 薄膜[SiC_χ -Cu]_(40)的局域结构 | 第42-44页 |
| 3.3.2 薄膜[SiC-Cu_χ]_(30)的局域结构 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 SiC/Cu稀磁半导体纳米多层膜的性能分析 | 第47-63页 |
| 4.1 薄膜[SiC_χ-Cu]_(40)的性能分析 | 第47-52页 |
| 4.1.1 薄膜[SiC_χ-Cu]_(40)的输运性能 | 第47-50页 |
| 4.1.2 薄膜[SiC_χ-Cu]_(40)的磁性 | 第50-52页 |
| 4.2 薄膜[SiC_χ-Cu]_(70)的性能分析 | 第52-56页 |
| 4.2.1 薄膜[SiC_χ-Cu]_(70)的输运性能 | 第52-54页 |
| 4.2.2 薄膜[SiC_χ-Cu]_(70)的磁性分析 | 第54-55页 |
| 4.2.3 薄膜[SiC_χ-Cu]_(70)的发光特性 | 第55-56页 |
| 4.3 薄膜[SiC-Cu_χ]_(30)的性能分析 | 第56-62页 |
| 4.3.1 薄膜[SiC-Cu_χ]_(30)的输运性能 | 第56-60页 |
| 4.3.2 薄膜[SiC-Cu_χ]_(30)的磁性分析 | 第60-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
