| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 引言 | 第11-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外发展及研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.1 SiC MOSFET的发展及应用研究 | 第12-13页 |
| 1.2.2 车载辅助变流器的发展及现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第14-17页 |
| 2 SiC MOSFET工作特性分析 | 第17-27页 |
| 2.1 SiC MOSFET器件特性 | 第17-22页 |
| 2.1.1 静态特性及参数 | 第17-20页 |
| 2.1.2 动态特性及参数 | 第20-22页 |
| 2.2 体二极管特性分析 | 第22页 |
| 2.3 寄生参数对SiC MOSFET动态性能影响分析 | 第22-26页 |
| 2.3.1 模型建立 | 第22-23页 |
| 2.3.2 谐振分析 | 第23-25页 |
| 2.3.3 动态特性改善 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 基于SiC MOSFET的变流器优化 | 第27-43页 |
| 3.1 变流器主要技术指标 | 第27-28页 |
| 3.2 功率器件选型 | 第28-29页 |
| 3.3 变流器参数优化 | 第29-39页 |
| 3.3.1 SiC吸收电容 | 第29-30页 |
| 3.3.2 变压器设计 | 第30-34页 |
| 3.3.3 RC吸收电路 | 第34-36页 |
| 3.3.4 直流侧输出滤波电路 | 第36-37页 |
| 3.3.5 交流侧输出滤波电路 | 第37-39页 |
| 3.4 变流器系统仿真 | 第39-42页 |
| 3.4.1 全桥部分仿真 | 第39-40页 |
| 3.4.2 逆变部分仿真 | 第40-41页 |
| 3.4.3 辅助变流器优化前后对比分析 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 4 辅助变流器损耗模型建立 | 第43-57页 |
| 4.1 开关器件损耗计算 | 第43-45页 |
| 4.1.1 导通损耗 | 第43-44页 |
| 4.1.2 开关损耗 | 第44-45页 |
| 4.1.3 二极管损耗 | 第45页 |
| 4.2 全桥变换器部分损耗分析 | 第45-50页 |
| 4.2.1 全桥逆变部分 | 第47-49页 |
| 4.2.2 不控整流部分 | 第49-50页 |
| 4.3 三相逆变部分损耗分析 | 第50-54页 |
| 4.3.1 通态损耗分析 | 第52-53页 |
| 4.3.2 开关损耗分析 | 第53-54页 |
| 4.4 变流器损耗仿真分析 | 第54-55页 |
| 4.5 散热方式选择 | 第55-56页 |
| 4.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 5 SiC MOSFET驱动技术研究 | 第57-75页 |
| 5.1 驱动电路的基本要求 | 第57页 |
| 5.2 驱动电路的基本要求 | 第57-59页 |
| 5.2.1 驱动电压及驱动能力 | 第57-58页 |
| 5.2.3 驱动电阻选择 | 第58-59页 |
| 5.3 驱动电路设计 | 第59-66页 |
| 5.3.1 隔离方式比较 | 第60-61页 |
| 5.3.2 过流检测部分 | 第61-63页 |
| 5.3.3 欠压检测部分 | 第63-65页 |
| 5.3.4 信号处理部分 | 第65-66页 |
| 5.3.5 电源电路部分 | 第66页 |
| 5.4 驱动电路测试 | 第66-69页 |
| 5.4.1 驱动电路弱电实验 | 第67-68页 |
| 5.4.2 过流检测实验 | 第68页 |
| 5.4.3 欠压检测实验 | 第68-69页 |
| 5.5 器件特性实验与分析 | 第69-74页 |
| 5.5.1 双脉冲测试模型 | 第69-70页 |
| 5.5.2 SiC MOEFET开关特性测试 | 第70-74页 |
| 5.5.3 SiC MOSFET体二极管特性测试 | 第74页 |
| 5.6 本章小结 | 第74-75页 |
| 6 总结与展望 | 第75-77页 |
| 6.1 总结 | 第75页 |
| 6.2 展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第79-83页 |
| 学位论文数据集 | 第83页 |