蓝宝石动态腐蚀行为及机理
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·蓝宝石衬底概述 | 第10-11页 |
| ·半导体 GaN 的外延衬底基片 | 第10-11页 |
| ·ZnO 外延薄膜衬底基片 | 第11页 |
| ·InN 及其它外延膜衬底基片 | 第11页 |
| ·蓝宝石的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·蓝宝石单晶表面腐蚀形貌研究现状 | 第12-18页 |
| ·晶体腐蚀机理 | 第12-14页 |
| ·干法刻蚀 | 第14-15页 |
| ·湿法腐蚀 | 第15-18页 |
| ·主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 样品制备和实验方法 | 第19-23页 |
| ·晶体样品的制备 | 第19-20页 |
| ·蓝宝石晶体生长 | 第19-20页 |
| ·实验样品制备 | 第20页 |
| ·晶体腐蚀实验 | 第20-21页 |
| ·腐蚀剂 | 第20-21页 |
| ·腐蚀温度和时间 | 第21页 |
| ·腐蚀晶体清洗 | 第21页 |
| ·分析与测试方法 | 第21-23页 |
| ·光学显微镜 | 第21页 |
| ·原子力显微镜 | 第21-22页 |
| ·激光共聚焦显微镜 | 第22-23页 |
| 第3章 完整晶面的动态腐蚀形貌演变 | 第23-36页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·表面微观形貌演变 | 第23-33页 |
| ·A-{11 (2|-) 0}晶面 | 第23-26页 |
| ·C-{0001}晶面 | 第26-29页 |
| ·M-{1(1|-)00}晶面 | 第29-33页 |
| ·机理分析 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 位错蚀坑形貌动态演变及其结构起源 | 第36-50页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·腐蚀坑形貌演变 | 第36-41页 |
| ·A-{11(2|-)0}晶面 | 第36-38页 |
| ·C-{0001}晶面 | 第38-39页 |
| ·M-{1(1|-)00}晶面 | 第39-41页 |
| ·腐蚀坑尺寸随腐蚀时间的变化规律 | 第41-43页 |
| ·机理分析 | 第43-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第5章 空腔形貌动态腐蚀演变及其机理 | 第50-63页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·空腔形貌演变 | 第50-57页 |
| ·A-{11(2|-)0}晶面空腔 | 第50-52页 |
| ·C-{0001}晶面空腔 | 第52-55页 |
| ·M-{1(1|-)00}晶面空腔 | 第55-57页 |
| ·空腔尺寸随腐蚀时间的变化规律 | 第57-59页 |
| ·机理分析 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
