| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-32页 |
| ·VCSEL高阶模式及偏振控制的研究背景及意义 | 第13-29页 |
| ·VCSEL高阶模式控制的研究背景及意义 | 第13-26页 |
| ·VCSEL偏振控制的研究背景及意义 | 第26-29页 |
| ·本论文的主要工作 | 第29-32页 |
| ·论文工作的主要内容 | 第29-30页 |
| ·论文的结构安排 | 第30-32页 |
| 第2章 VCSEL高阶模式及偏振控制理论分析 | 第32-74页 |
| ·矩形台面浅面浮雕VCSEL控制高阶模式理论模拟 | 第32-44页 |
| ·矩形台面浅面浮雕VCSEL有源区的电流分布模拟 | 第33-35页 |
| ·矩形台面浅面浮雕VCSEL的模式理论分析与仿真 | 第35-39页 |
| ·矩形台面浅面浮雕VCSEL限制因子分析 | 第39-41页 |
| ·矩形台面浅面浮雕VCSEL的浮雕刻蚀深度和面积优化 | 第41-43页 |
| ·有限元分析法模拟矩形台面浅面浮雕VCSEL的光谱分布 | 第43-44页 |
| ·导电薄膜集成浅面浮雕VCSEL电流分布 | 第44-47页 |
| ·介质膜集成衬底外腔VCSEL控制高阶模式理论分析 | 第47-59页 |
| ·外腔镜等效反射率的计算 | 第48-51页 |
| ·外腔构成的等效谐振腔 | 第51-53页 |
| ·外腔VECSEL振荡特性分析 | 第53-54页 |
| ·外腔VECSEL计算结果 | 第54-57页 |
| ·980nm介质膜集成衬底外腔VECSEL谐振腔参数的确定 | 第57-58页 |
| ·980nm介质膜集成衬底外腔VECSEL模式Q值的计算 | 第58-59页 |
| ·矩形VCSEL的偏振控制理论分析 | 第59-62页 |
| ·表面光栅VCSEL的偏振控制理论分析 | 第62-72页 |
| ·表面集成光栅VCSEL的光栅理论分析 | 第63-66页 |
| ·高对比光栅VCSEL的光栅理论分析 | 第66-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第3章 VCSEL工艺研究 | 第74-93页 |
| ·VCSEL工艺过程的几个关键技术 | 第74-83页 |
| ·外延片清洗 | 第74-76页 |
| ·光刻 | 第76-78页 |
| ·刻蚀 | 第78-82页 |
| ·减薄抛光 | 第82-83页 |
| ·矩形浅面浮雕VCSEL工艺流程 | 第83-91页 |
| ·矩形浅面浮雕VCSEL工艺流程 | 第83-87页 |
| ·浅面浮雕矩形VCSEL中浮雕的浅面刻蚀研究 | 第87-90页 |
| ·非对称电流注入有源区的矩形台面VCSEL工艺研究 | 第90-91页 |
| ·介质膜集成衬底外腔VECSEL的工艺难点 | 第91-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 第4章 VCSEL实验测试结果与分析 | 第93-116页 |
| ·850nm矩形浅面浮雕VCSEL单管性能测试及分析 | 第93-95页 |
| ·850nm矩形浅面浮雕VCSEL结构及制作 | 第93页 |
| ·850nm矩形浅面浮雕VCSEL测试与分析 | 第93-95页 |
| ·介质膜集成衬底外腔VECSEL | 第95-99页 |
| ·介质膜集成衬底外腔VCSEL器件结构及制作 | 第95-96页 |
| ·介质膜集成衬底外腔底发射VECSEL输出特性及分析 | 第96-98页 |
| ·介质膜集成衬底外腔底发射VECSEL光谱及远场特性 | 第98-99页 |
| ·非对称电流注入有源区的矩形台面VCSEL偏振特性 | 第99-107页 |
| ·非对称电流注入矩形台面VCSEL器件结构 | 第99-101页 |
| ·非对称电流注入矩形台面VCSEL偏振输出特性 | 第101-102页 |
| ·非对称电流注入矩形台面VCSEL光谱及光场特性 | 第102-103页 |
| ·非对称电流与环形电流注入矩形台面VCSEL比较 | 第103-107页 |
| ·温度对矩形面发射激光器光场分布的影响 | 第107-114页 |
| ·矩形台面VCSEL器件结构及其制备 | 第108-109页 |
| ·矩形台面VCSEL器件输出性能测试 | 第109-112页 |
| ·矩形台面VCSEL光场分布结果的理论分析 | 第112-114页 |
| ·本章小结 | 第114-116页 |
| 第5章 总结与展望 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-126页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第126-128页 |
| 指导教师及作者简介 | 第128-129页 |
| 致谢 | 第129-130页 |
