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Ⅲ族氮化物低维纳米结构的可控制备及生长机理研究

摘要第1-4页
Abstract第4-6页
目录第6-9页
第一章 绪论第9-45页
   ·纳米材料的科学内涵与魅力第9-12页
   ·一维纳米材料的发展第12-20页
     ·获得一维纳米材料的方案第12-15页
     ·合成纳米材料的热化学气相沉积法第15-20页
       ·热化学气相沉积中的动力学与能量分析第15-17页
       ·热化学气相沉积法在一维纳米材料合成中的应用第17-20页
   ·AIN与InN纳米材料及硏究现状第20-27页
     ·AlN与InN材料的基本结构与性质第20-22页
     ·已合成出的AlN与InN纳米结构第22-27页
       ·AlN纳米结构第22-24页
       ·InN纳米结构第24-27页
   ·AlN与InN纳米结构的生长机理研究现状第27-34页
     ·AlN纳米结构的生长机理研究现状第27-31页
     ·InN纳米结构的生长机理研究现状第31-34页
   ·选题依据与研究内容第34-36页
 参考文献第36-45页
第二章 纳米晶体的形核及生长第45-69页
   ·前言第45-47页
   ·纳米晶体形核第47-51页
     ·经典成核理论第47-51页
   ·纳米晶体生长第51-61页
     ·纳米结构的对称性第51-55页
       ·晶体的理论平衡形态第52-54页
       ·实际条件下的晶体形态第54-55页
     ·纳米结构对称性破缺第55-61页
       ·极化诱发对称破缺第56-57页
       ·催化剂诱发对称破缺第57-59页
       ·取向组装导致对称破缺第59-60页
       ·缺陷导致对称破缺第60-61页
   ·本章小节第61-63页
 参考文献第63-69页
第三章 AlN取向复杂纳米阵列结构的制备及生长机理分析第69-89页
   ·前言第69-70页
   ·实验部分第70-72页
     ·硅片清洗第70-71页
     ·实验过程第71-72页
   ·结果与讨论第72-80页
     ·X射线衍射与电镜研究第72-76页
     ·生长机理分析第76-80页
   ·以机理为指导合成新的AlN纳米结构第80-82页
     ·改变基底情况调控形核第80-81页
     ·提高NH_3流量调控生长速率第81-82页
   ·本章小结第82-84页
 参考文献第84-89页
第四章 不同取向与形貌的InN纳米线的制备及生长机理研究第89-109页
   ·前言第89-91页
   ·实验部分第91-92页
     ·基片预处理第91页
     ·实验过程第91-92页
   ·结果与讨论第92-102页
     ·X射线衍射与电镜分析第92-96页
     ·生长机理研究第96-102页
   ·本章小结第102-104页
 参考文献第104-109页
第五章 全文总结第109-113页
作者简历第113-115页
博士期间的工作情况第115-117页
致谢第117页

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