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不对称中位取代卟啉类半导体材料的合成及其性质

中文摘要第1-7页
Abstract第7-12页
第一章 前言第12-27页
   ·卟啉化合物的研究进展第12-17页
     ·卟啉化合物的命名第12-13页
     ·Adler法第13页
     ·Lindsey法第13-14页
     ·[2+2]法第14-15页
     ·[3+1]法第15页
     ·线型四吡咯合成法第15-16页
     ·微波合成法第16-17页
   ·卟啉化合物的主要用途第17-21页
     ·在生物和医药领域的应用第17-18页
     ·在分析化学和材料化学领域的应用第18-21页
   ·卟啉化合物的性质第21-25页
     ·物理性质第21页
     ·紫外可见光谱第21-22页
     ·红外光谱和拉曼光谱第22-23页
     ·元素分析和质谱第23页
     ·核磁共振谱第23-24页
     ·紫外可见漫反射光谱第24页
     ·表面光电压谱第24-25页
     ·荧光光谱第25页
   ·本论文的研究目的及工作内容第25-27页
第二章 不对称中位取代卟啉类半导体材料的合成及表征第27-42页
   ·实验部分第27-32页
     ·实验试剂第27-28页
     ·仪器及测试条件第28页
     ·合成路线第28-29页
     ·合成方法第29-31页
     ·合成方法的改进第31-32页
   ·系列不对称中位取代卟啉的表征第32-41页
     ·紫外可见光谱第32-34页
     ·红外吸收光谱第34-37页
     ·元素分析和质谱第37-39页
     ·核磁共振氢谱第39-41页
   ·小结第41-42页
第三章 不对称中位取代卟啉类半导体材料的性质研究第42-62页
   ·实验仪器第42页
   ·不对称中位取代卟啉的性质研究第42-60页
     ·论研究第42-47页
     ·紫外可见漫反射光谱第47-51页
     ·表面光电压第51-54页
     ·荧光发射光谱第54-57页
     ·激光拉曼光谱第57-59页
     ·不对称中位取代卟啉的微观形貌第59-60页
   ·小结第60-62页
参考文献第62-73页
作者简介第73-74页
致谢第74页

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