中文摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
第一章 前言 | 第12-27页 |
·卟啉化合物的研究进展 | 第12-17页 |
·卟啉化合物的命名 | 第12-13页 |
·Adler法 | 第13页 |
·Lindsey法 | 第13-14页 |
·[2+2]法 | 第14-15页 |
·[3+1]法 | 第15页 |
·线型四吡咯合成法 | 第15-16页 |
·微波合成法 | 第16-17页 |
·卟啉化合物的主要用途 | 第17-21页 |
·在生物和医药领域的应用 | 第17-18页 |
·在分析化学和材料化学领域的应用 | 第18-21页 |
·卟啉化合物的性质 | 第21-25页 |
·物理性质 | 第21页 |
·紫外可见光谱 | 第21-22页 |
·红外光谱和拉曼光谱 | 第22-23页 |
·元素分析和质谱 | 第23页 |
·核磁共振谱 | 第23-24页 |
·紫外可见漫反射光谱 | 第24页 |
·表面光电压谱 | 第24-25页 |
·荧光光谱 | 第25页 |
·本论文的研究目的及工作内容 | 第25-27页 |
第二章 不对称中位取代卟啉类半导体材料的合成及表征 | 第27-42页 |
·实验部分 | 第27-32页 |
·实验试剂 | 第27-28页 |
·仪器及测试条件 | 第28页 |
·合成路线 | 第28-29页 |
·合成方法 | 第29-31页 |
·合成方法的改进 | 第31-32页 |
·系列不对称中位取代卟啉的表征 | 第32-41页 |
·紫外可见光谱 | 第32-34页 |
·红外吸收光谱 | 第34-37页 |
·元素分析和质谱 | 第37-39页 |
·核磁共振氢谱 | 第39-41页 |
·小结 | 第41-42页 |
第三章 不对称中位取代卟啉类半导体材料的性质研究 | 第42-62页 |
·实验仪器 | 第42页 |
·不对称中位取代卟啉的性质研究 | 第42-60页 |
·论研究 | 第42-47页 |
·紫外可见漫反射光谱 | 第47-51页 |
·表面光电压 | 第51-54页 |
·荧光发射光谱 | 第54-57页 |
·激光拉曼光谱 | 第57-59页 |
·不对称中位取代卟啉的微观形貌 | 第59-60页 |
·小结 | 第60-62页 |
参考文献 | 第62-73页 |
作者简介 | 第73-74页 |
致谢 | 第74页 |