| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-27页 |
| ·引言 | 第8-11页 |
| ·FeS_2的基本特性 | 第11页 |
| ·FeS_2薄膜的制备方法 | 第11-19页 |
| ·直接法制备 FeS_2薄膜 | 第12-13页 |
| ·间接法制备 FeS_2薄膜 | 第13-16页 |
| ·其它方法 | 第16-19页 |
| ·化学浴沉积法 | 第19-22页 |
| ·CBD 方法简介 | 第19页 |
| ·化学浴沉积的反应原理 | 第19-20页 |
| ·CBD 薄膜的两种生长模式 | 第20-21页 |
| ·化学浴沉积的特点 | 第21-22页 |
| ·FeS_2薄膜的光学性能 | 第22-24页 |
| ·FeS_2薄膜的掺杂改性 | 第24-25页 |
| ·本文的研究意义和主要内容 | 第25-27页 |
| 第二章 实验方法与过程 | 第27-32页 |
| ·实验原料及仪器 | 第27-28页 |
| ·实验原料 | 第27页 |
| ·实验设备 | 第27-28页 |
| ·实验过程 | 第28-30页 |
| ·基底的清洗 | 第28页 |
| ·FeS_2薄膜的制备 | 第28-30页 |
| ·Mn 掺杂 FeS_2薄膜制备 | 第30页 |
| ·薄膜的结构与光学性能表征 | 第30-32页 |
| ·物相分析 | 第30页 |
| ·Raman 光谱分析 | 第30-31页 |
| ·表面形貌分析及化学组成分析 | 第31页 |
| ·薄膜光学性质测试 | 第31-32页 |
| 第三章 硫化参数对 FeS_2薄膜组成及其光学性能的影响 | 第32-45页 |
| ·先驱体薄膜的形成机理和表征 | 第32-34页 |
| ·硫化参数对薄膜组成的影响 | 第34-41页 |
| ·硫化温度对薄膜组成的影响 | 第34-37页 |
| ·硫化时间对薄膜组成的影响 | 第37-38页 |
| ·降温速率对薄膜组成的影响 | 第38-41页 |
| ·不同硫化时间下薄膜形貌的变化 | 第41-42页 |
| ·不同硫化时间下薄膜光学性能的变化 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 Mn 掺杂对 FeS_2薄膜组织形貌及光学性能的影响 | 第45-54页 |
| ·先驱体膜的形成机理 | 第45-46页 |
| ·不同掺杂量薄膜化学组成分析 | 第46-48页 |
| ·掺杂量对薄膜晶体结构的影响 | 第48-50页 |
| ·掺杂量对薄膜形貌的影响 | 第50-51页 |
| ·掺杂量对光学性能的影响 | 第51-53页 |
| ·掺杂量对薄膜光吸收系数的影响 | 第51-52页 |
| ·掺杂量对薄膜禁带宽度的影响 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 Mn 掺杂 FeS_2电子结构的第一性原理研究 | 第54-66页 |
| ·第一性原理计算方法介绍 | 第54-56页 |
| ·第一性原理计算方法 | 第54-55页 |
| ·密度泛函理论 | 第55页 |
| ·CASTEP 介绍 | 第55-56页 |
| ·FeS_2的几何模型和电子结构 | 第56-62页 |
| ·FeS_2模型的建立 | 第56-57页 |
| ·截断能 cutoff 与 K-point 的确定 | 第57-60页 |
| ·能带结构和态密度 | 第60-62页 |
| ·Mn 掺杂 FeS_2电子结构的计算 | 第62-64页 |
| ·模型建立 | 第62-63页 |
| ·能带结构和态密度 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 结论及展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 发表论文专利和参加科研情况说明 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |