| 目录 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·量子点概述 | 第12-18页 |
| ·量子点的基本效应 | 第12-13页 |
| ·量子点的相关概念 | 第13-14页 |
| ·半导体量子点的制备方法 | 第14-15页 |
| ·半导体量子点常用测试方法 | 第15-18页 |
| ·多元半导体量子点 | 第18-24页 |
| ·多元半导体量子点的分类 | 第18-19页 |
| ·多元半导体量子点的形成机理 | 第19-21页 |
| ·多元半导体量子点的研究现状 | 第21-23页 |
| ·多元半导体量子点的应用 | 第23-24页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 Zn_(1-x)Cd_xSe 量子点的制备及荧光性质研究 | 第26-42页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·实验部分 | 第27-28页 |
| ·Zn_(1-x)Cd_xSe 量子点的制备 | 第27-28页 |
| ·Zn_(1-x)Cd_xSe 量子点的表征 | 第28页 |
| ·结果与分析 | 第28-40页 |
| ·Cd/Zn 摩尔比对产物荧光性质的影响 | 第28-30页 |
| ·反应时间对产物荧光性质的影响 | 第30-36页 |
| ·Cd、Zn 前驱体的反应次序对产物荧光性质的影响 | 第36-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 CdTe_xSe_(1-x)及 CdTe_xSe_(1-x)/Cd_yZn_(1-y)S 量子点的制备及荧光性质研究 | 第42-58页 |
| ·引言 | 第42-44页 |
| ·实验部分 | 第44-46页 |
| ·CdTe_xSe_(1-x)及 CdTe_xSe_(1-x)/Cd_yZn_(1-y)S 量子点的制备 | 第44-45页 |
| ·CdTe_xSe_(1-x)及 CdTe_xSe_(1-x)/Cd_yZn_(1-y)S 量子点的表征 | 第45-46页 |
| ·结果与分析 | 第46-56页 |
| ·Te/Se 摩尔比对产物形貌的影响 | 第46-51页 |
| ·Te/Se 摩尔比对产物荧光性质的影响 | 第51-52页 |
| ·反应温度对产物荧光性质的影响 | 第52-53页 |
| ·包覆 Cd_yZn_(1-y)S 壳对产物荧光性质的影响 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 CuInS_2及 CuInS_2/ZnS 量子点的制备及荧光性质研究 | 第58-68页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·实验部分 | 第58-60页 |
| ·CuInS_2及 CuInS_2/ZnS 量子点的制备 | 第58-59页 |
| ·CuInS_2及 CuInS_2/ZnS 量子点的表征 | 第59-60页 |
| ·结果与分析 | 第60-67页 |
| ·Cu/In 摩尔比对产物荧光性质的影响 | 第60-66页 |
| ·反应温度对产物荧光性质的影响 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 结论与展望 | 第68-72页 |
| 参考文献 | 第72-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 附录 | 第86-87页 |
