| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·OLED 的发展过程 | 第11-15页 |
| ·本文主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 有机电致发光器件的基本理论 | 第16-29页 |
| ·OLED 的发光过程 | 第16-17页 |
| ·OLED 器件结构 | 第17-18页 |
| ·OLED 器件材料选择 | 第18-19页 |
| ·发光材料 | 第18-19页 |
| ·传输材料 | 第19页 |
| ·空穴注入和阻挡材料 | 第19页 |
| ·OLED 器件的封装 | 第19-23页 |
| ·盖板封装 | 第19-20页 |
| ·单层或多层薄膜封装 | 第20-23页 |
| ·小结 | 第23页 |
| ·OLED 器件失效介绍 | 第23-25页 |
| ·金属电极失效 | 第24页 |
| ·有机材料失效 | 第24-25页 |
| ·小结 | 第25页 |
| ·柔性 OLED 器件衬底 | 第25-29页 |
| ·金属薄片衬底 | 第26页 |
| ·超薄玻璃衬底 | 第26-27页 |
| ·聚合物衬底 | 第27-28页 |
| ·本节小结 | 第28-29页 |
| 第三章 刚性 OLED 器件寿命实验及其热熔铟封接研究 | 第29-65页 |
| ·OLED 器件寿命实验 | 第29-34页 |
| ·实验 | 第29-31页 |
| ·实验结果及分析 | 第31-34页 |
| ·小结 | 第34页 |
| ·铟封接技术 | 第34-38页 |
| ·冷压封接 | 第35-36页 |
| ·热熔封接 | 第36-38页 |
| ·小结 | 第38页 |
| ·OLED 热熔铟封结构设计 | 第38-39页 |
| ·基板的前期处理 | 第39-45页 |
| ·基片的切割 | 第39-40页 |
| ·基片的清洗 | 第40-41页 |
| ·刻蚀 ITO 图案 | 第41-45页 |
| ·热熔铟封边框的制备 | 第45-57页 |
| ·第一层绝缘层的制备 | 第45-49页 |
| ·加热层的制备 | 第49-52页 |
| ·第二层绝缘层和金属过渡层的制备 | 第52-54页 |
| ·铟封接层的制备 | 第54-57页 |
| ·基板和盖板的封装 | 第57-60页 |
| ·IN-BI 合金封接实验 | 第60页 |
| ·封装器件气密性测试 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第四章 柔性衬底铟封接研究 | 第65-71页 |
| ·云母 | 第65页 |
| ·白云母的特性 | 第65-67页 |
| ·云母衬底的柔性 OLED 封装研究 | 第67-71页 |
| 第五章 总结 | 第71-73页 |
| ·本文的主要内容 | 第71-72页 |
| ·下一步工作的展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 攻读硕士间取得的研究成果 | 第77-78页 |