| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| ·电子理论在材料研究中的应用 | 第8-9页 |
| ·密度泛函理论、余氏理论、程氏改进的TFD 理论概述 | 第9-12页 |
| ·密度泛函理论 | 第9-10页 |
| ·余氏理论 | 第10页 |
| ·程氏改进的TFD 理论 | 第10-12页 |
| ·原子表面电子密度求解的主要方法及研究现状 | 第12-14页 |
| ·薄膜内应力起源的电子理论解释 | 第14-15页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第15-16页 |
| 第2章 基于程氏理论原子和化合物原子表面电子密度数值解的计算方法研究 | 第16-31页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·TFD 方程 | 第16-18页 |
| ·Runge-Kutta 法 | 第18-19页 |
| ·TFD 方程的数值解法 | 第19-21页 |
| ·晶体Cu 及一些常见元素的原子表面电子密度求解 | 第21-25页 |
| ·化合物A_mB_n 的原子表面电子密度求解 | 第25-29页 |
| ·化合物原子表面电子密度求解方法 | 第25-26页 |
| ·渗碳体Fe_3C 原子表面电子密度计算 | 第26-29页 |
| ·小结 | 第29-31页 |
| 第3章 基于程氏电子理论薄膜内应力的计算模型 | 第31-36页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·悬臂梁法测试原理及薄膜内应力公式 | 第31-33页 |
| ·基于程氏电子理论的薄膜内应力计算模型 | 第33-35页 |
| ·界面内应力 | 第33页 |
| ·基于程氏理论薄膜内应力的理论计算公式 | 第33-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第4章 基于电子理论 Ni 基体上 Cu 膜的内应力研究 | 第36-43页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·实验材料及方法 | 第36-39页 |
| ·悬臂梁基片的制备 | 第36-37页 |
| ·硫酸盐镀铜的镀液配置 | 第37页 |
| ·悬臂梁法Cu 膜内应力测试原理 | 第37-39页 |
| ·实验结果和讨论 | 第39-42页 |
| ·实验结果 | 第39-40页 |
| ·Cu 膜内应力分析 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第5章 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 附录A 实验仪器与设备 | 第48-49页 |
| 附录B Matlab 程序语言 | 第49-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第53页 |
