| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-27页 |
| ·纳米异质结构材料的研究及应用 | 第14-21页 |
| ·纳米异质结构材料概述 | 第14-15页 |
| ·纳米异质结构的电学特性 | 第15-18页 |
| ·纳米异质结构材料的制备方法 | 第18-19页 |
| ·纳米异质结构材料的应用 | 第19-21页 |
| ·气敏材料的研究与应用 | 第21-24页 |
| ·气敏材料概述 | 第21-22页 |
| ·几种常见的金属氧化物气敏材料 | 第22-24页 |
| ·纳米异质结构材料在室温气敏方面的应用 | 第24-26页 |
| ·室温气敏研究 | 第24-25页 |
| ·纳米异质结构材料室温气敏性研究 | 第25-26页 |
| ·本论文的研究意义及目的 | 第26-27页 |
| 第二章 准二维微纳异质结构的实验和表征方法 | 第27-35页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·实验方法 | 第27-31页 |
| ·实验仪器 | 第27-29页 |
| ·实验步骤 | 第29-31页 |
| ·形貌和结构表征方法 | 第31-32页 |
| ·光电和气敏特性的表征方法 | 第32-34页 |
| ·电路连接 | 第32页 |
| ·光电特性测量 | 第32-33页 |
| ·气敏特性测量 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的制备 | 第35-50页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·实验部分 | 第36-39页 |
| ·制备方法 | 第36-38页 |
| ·沉积电势的确定 | 第38-39页 |
| ·Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的形貌表征 | 第39-41页 |
| ·SEM 表征 | 第39-40页 |
| ·TEM 表征 | 第40-41页 |
| ·Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的结构和成分表征 | 第41-45页 |
| ·HRTEM 表征 | 第41-42页 |
| ·元素分布 | 第42-44页 |
| ·XPS 表征 | 第44-45页 |
| ·Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的电沉积原理 | 第45-47页 |
| ·Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的形貌调控 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的光电特性 | 第50-59页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的电路连接 | 第50页 |
| ·敏感元件的制备 | 第50-51页 |
| ·测试电路连接 | 第51页 |
| ·Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的导电性受温度的影响 .38 | 第51-53页 |
| ·Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的光敏特性 | 第53-57页 |
| ·激光强度对导电性的影响 | 第53-54页 |
| ·光敏元件的响应和恢复时间 | 第54页 |
| ·光敏元件的激光响应范围 | 第54-56页 |
| ·光敏元件的敏感度与偏置电压的关系 | 第56-57页 |
| ·Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的光敏原理 | 第57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的 H_2S 气敏特性 | 第59-75页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的 H_2S 气敏特性表征 | 第59-64页 |
| ·Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的 H_2S 敏感性 | 第60-61页 |
| ·Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的 H_2S 选择性 | 第61-62页 |
| ·Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的 H_2S 敏感范围 | 第62-63页 |
| ·Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构对 H_2S 的响应和恢复时间 | 第63-64页 |
| ·Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的 H_2S 气敏机理 | 第64-66页 |
| ·激光辐照对 H_2S 气敏特性的影响 | 第66-72页 |
| ·激光辐照对 H_2S 敏感性的影响 | 第66-67页 |
| ·激光辐照对 H_2S 选择性的影响 | 第67-69页 |
| ·激光辐照对 H_2S 探测范围的影响 | 第69-71页 |
| ·激光辐照对 H_2S 气敏响应速度的影响 | 第71-72页 |
| ·激光辐照对 H_2S 气敏特性的增强机理 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第六章 CuO/In_2O_3p-n 微纳异质结构阵列的制备 | 第75-89页 |
| ·引言 | 第75页 |
| ·实验部分 | 第75-79页 |
| ·试验方法 | 第75-77页 |
| ·沉积电势的确定 | 第77-79页 |
| ·CuO/In_2O_3微纳异质结构阵列的形貌表征 | 第79-81页 |
| ·SEM 表征 | 第79页 |
| ·TEM 表征 | 第79-81页 |
| ·CuO/In_2O_3微纳异质结构阵列的结构和成分表征 | 第81-83页 |
| ·SAED 表征 | 第81-82页 |
| ·XPS 表征 | 第82-83页 |
| ·CuO/In_2O_3微纳异质结构阵列的电沉积原理 | 第83-84页 |
| ·CuO/In_2O_3微纳异质结构阵列的形貌调控 | 第84-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 第七章 CuO/In_2O_3p-n 微纳异质结构阵列的 H_2气敏特性 | 第89-97页 |
| ·引言 | 第89页 |
| ·CuO/In_2O_3p-n 微纳异质结构阵列的 H_2气敏特性表征 | 第89-95页 |
| ·CuO/In_2O_3p-n 微纳异质结构阵列的 H_2敏感特性 | 第89-90页 |
| ·CuO/In_2O_3p-n 微纳异质结构阵列的 H_2选择性 | 第90-91页 |
| ·CuO/In_2O_3p-n 微纳异质结构阵列的 H_2敏感范围 | 第91-92页 |
| ·CuO/In_2O_3p-n 微纳异质结构阵列对 H_2的响应和恢复时间 | 第92-93页 |
| ·CuO/In_2O_3p-n 微纳异质结构阵列的 H_2气敏性与温度的关系 | 第93-95页 |
| ·CuO/In_2O_3p-n 微纳异质结构阵列的 H_2气敏机理 | 第95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 第八章 结论 | 第97-101页 |
| ·Cu_2O/SnO_2p-n 横向多层异质结构的研究 | 第97-98页 |
| ·CuO/In_2O_3p-n 微纳异质结构阵列的研究 | 第98-99页 |
| ·本论文的创新点 | 第99页 |
| ·未来的研究方向 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-119页 |
| 科研成果 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
| 作者简历 | 第122页 |
