摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第1章 绪论 | 第10-31页 |
·量子点概述 | 第10-16页 |
·量子点的概念 | 第10-11页 |
·量子点的光学特性 | 第11-12页 |
·量子点的制备方法 | 第12-14页 |
·量子点表面功能化修饰 | 第14-16页 |
·分子印迹技术概述 | 第16-19页 |
·分子印迹技术的发展 | 第17页 |
·分子印迹技术原理 | 第17-18页 |
·分子印迹技术的分类 | 第18-19页 |
·量子点与分子印迹技术相结合 | 第19-20页 |
·表面印迹法 | 第19-20页 |
·悬浮聚合法 | 第20页 |
·比率荧光传感法 | 第20-23页 |
·基于荧光共振能量转移机理的荧光比率法 | 第21页 |
·基于分子内电荷转移机理的荧光比率法 | 第21-22页 |
·基于激发态分子内质子转移机理的荧光比率法 | 第22页 |
·基于激基缔合物形成机理的荧光比率法 | 第22页 |
·基于参比物质的荧光比率法 | 第22-23页 |
·本课题的研究内容 | 第23-26页 |
参考文献 | 第26-31页 |
第2章 ZnS:Mn QDs 及其表面分子印迹聚合物的制备 | 第31-43页 |
·引言 | 第31-32页 |
·实验部分 | 第32-33页 |
·仪器设备 | 第32页 |
·实验试剂 | 第32页 |
·ZnS:Mn QDs 的制备 | 第32页 |
·ZnS:Mn QDs 表面印迹 4-硝基苯酚 | 第32-33页 |
·结果与讨论 | 第33-40页 |
·ZnS:Mn QDs 的光学性能 | 第33-34页 |
·TEOS 对 ZnS:Mn QDs 荧光强度的影响 | 第34-35页 |
·ZnS:Mn QDs 表面分子印迹 4-NP | 第35-36页 |
·ZnS:Mn QDs 表面分子印迹效果 | 第36-37页 |
·MPTS/ZnS:Mn QDs 和 MIP/ZnS:Mn QDs 的傅里叶红外光谱 | 第37-38页 |
·MPTS/ZnS:Mn QDs 和 MIP/ZnS:Mn QDs 的 X 射线衍射表征 | 第38页 |
·扫描电镜分析 | 第38-39页 |
·MIP/ZnS:Mn QDs 洗脱前后的傅里叶红外光谱 | 第39-40页 |
·结论 | 第40-41页 |
参考文献 | 第41-43页 |
第3章 ZnS:Mn 量子点表面印迹杂化膜的研制及其荧光识别 4-NP | 第43-58页 |
·引言 | 第43-44页 |
·实验部分 | 第44-45页 |
·仪器设备 | 第44页 |
·实验试剂 | 第44页 |
·石英玻片预处理 | 第44-45页 |
·ZnS:Mn 量子点表面分子印迹杂化膜的制备 | 第45页 |
·结果与讨论 | 第45-54页 |
·ZnS:Mn 量子点表面印迹杂化膜的光学特性 | 第45-46页 |
·缓冲溶液的影响 | 第46-47页 |
·响应时间 | 第47页 |
·共存离子及有机物的干扰 | 第47-48页 |
·选择性 | 第48-50页 |
·标准曲线及检测限 | 第50页 |
·样品分析 | 第50-51页 |
·机理解释 | 第51-52页 |
·MIP/ZnS:Mn QDs 杂化膜可逆再生性 | 第52-53页 |
·MIP/ZnS:Mn QDs 杂化膜的稳定性 | 第53-54页 |
·倒置荧光显微镜 | 第54页 |
·结论 | 第54-56页 |
参考文献 | 第56-58页 |
第4章 阿魏酸-掺杂 Mn 的 ZnS 复合纳米粒子比率型荧光探针的制备及其应用 | 第58-70页 |
·引言 | 第58-59页 |
·实验部分 | 第59-60页 |
·仪器设备 | 第59页 |
·实验试剂 | 第59-60页 |
·实验步骤 | 第60页 |
·结果与讨论 | 第60-67页 |
·尿酸对阿魏酸作用时的荧光光谱 | 第60页 |
·ZnS:Mn QDs 包裹硅壳前后与尿酸的作用 | 第60-61页 |
·比率型探针的荧光光谱 | 第61-62页 |
·响应时间 | 第62-63页 |
·缓冲液 pH 的影响 | 第63页 |
·共存物质的干扰 | 第63-64页 |
·标准曲线及检测限 | 第64-65页 |
·合成样品的测定 | 第65页 |
·傅里叶红外吸收光谱表征 | 第65-66页 |
·机理解释 | 第66-67页 |
·结论 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-70页 |
致谢 | 第70-72页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第72页 |