| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| ·毫米波及其特点 | 第8页 |
| ·毫米波系统国内外发展状况 | 第8-10页 |
| ·MIC 和MMIC 的国内外发展现状 | 第10-12页 |
| 第二章 T/R 组件方案 | 第12-15页 |
| ·T/R 组件技术指标 | 第12-13页 |
| ·系统实现方案 | 第13-14页 |
| ·本论文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第三章 半导体有源电路 | 第15-31页 |
| ·放大器 | 第15-23页 |
| ·放大器的主要参数 | 第15-22页 |
| ·增益 | 第15-18页 |
| ·噪声特性 | 第18页 |
| ·增益平坦度 | 第18-19页 |
| ·非线性 | 第19-20页 |
| ·稳定性 | 第20-21页 |
| ·动态范围 | 第21-22页 |
| ·宽带放大器 | 第22页 |
| ·本课题用到的放大器 | 第22-23页 |
| ·倍频器 | 第23-26页 |
| ·倍频器噪声 | 第25页 |
| ·本课题中的倍频器 | 第25-26页 |
| ·混频器 | 第26-31页 |
| ·肖特基势垒二极管的结构及其等效电路 | 第26-27页 |
| ·混频器的主要技术指标 | 第27-30页 |
| ·课题中的混频器 | 第30-31页 |
| 第四章 毫米波控制电路 | 第31-53页 |
| ·PIN 二极管和砷化镓金属半导体场效应管(GAAS MESFET) | 第31-35页 |
| ·PIN 二极管的基本结构 | 第31页 |
| ·PIN 管的等效电路 | 第31-34页 |
| ·砷化镓金属半导体场效应管(GaAs MESFET) | 第34-35页 |
| ·PIN 开关 | 第35-38页 |
| ·正反衰减比及其频率特性 | 第35-37页 |
| ·组件中的开关 | 第37-38页 |
| ·移相器 | 第38-53页 |
| ·概述 | 第38页 |
| ·移相器的类型和主要技术指标 | 第38-44页 |
| ·开关线移相器 | 第39-40页 |
| ·加载线移相器 | 第40-41页 |
| ·反射式移相器 | 第41-43页 |
| ·平衡式移相器 | 第43-44页 |
| ·0-π移相器参数对的载波抑制的影响 | 第44-52页 |
| ·移相误差与寄生调幅对载波抑制度的影响 | 第45-47页 |
| ·移相器开关时间对载波抑制度的影响 | 第47-50页 |
| ·仿真结果对比 | 第50-52页 |
| ·移相器设计实现 | 第52-53页 |
| 第五章 无源电路 | 第53-63页 |
| ·功分器的设计 | 第53-61页 |
| ·概述 | 第53-54页 |
| ·功分器基本理论分析 | 第54-58页 |
| ·组件中功分器设计 | 第58-61页 |
| ·f_0/4 功分器的设计 | 第58-60页 |
| ·f_0 功分器的设计 | 第60-61页 |
| ·滤波器的设计 | 第61-63页 |
| ·f_0 带通滤波器设计 | 第61-62页 |
| ·低频低通滤波器设计 | 第62-63页 |
| 第六章 KA 波段0-Π调相收发组件 | 第63-69页 |
| ·原理框图 | 第63-64页 |
| ·电源电路 | 第64-65页 |
| ·指标估算 | 第65-66页 |
| ·收发组件装配和制作 | 第66-67页 |
| ·组件测试 | 第67-69页 |
| 结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第73页 |