| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 聚焦离子束技术概述 | 第11-15页 |
| 1.1.1 聚焦离子束系统的结构 | 第11-13页 |
| 1.1.2 FIB与固体材料表面相互作用的基本现象 | 第13页 |
| 1.1.3 FIB技术的主要功能和应用 | 第13-15页 |
| 1.2 课题研究意义 | 第15-16页 |
| 1.3 课题研究现状和关键技术 | 第16-18页 |
| 1.4 论文研究内容及章节安排 | 第18-21页 |
| 第二章 FIB与固体材料表面相互作用的理论与模拟方法 | 第21-29页 |
| 2.1 离子在固体中的能量损失和射程分布 | 第21-24页 |
| 2.1.1 离子在固体中的能量损失 | 第21-23页 |
| 2.1.2 离子在固体中的射程分布 | 第23-24页 |
| 2.2 原子间相互作用势 | 第24-26页 |
| 2.3 FIB去除基底材料机制 | 第26-27页 |
| 2.4 模拟的方法 | 第27-28页 |
| 2.4.1 蒙特卡洛方法 | 第27页 |
| 2.4.2 分子动力学方法 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 FIB刻蚀硅基底的晶面效应实验及分析 | 第29-39页 |
| 3.1 实验设备 | 第29页 |
| 3.2 实验流程 | 第29-32页 |
| 3.2.1 硅片准备 | 第30页 |
| 3.2.2 FIB加工原理图 | 第30-31页 |
| 3.2.3 实验方案设计 | 第31-32页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第32-37页 |
| 3.3.1 28pA离子束流刻蚀的线结构形貌 | 第32-34页 |
| 3.3.2 28pA束流刻蚀线结构的溅射产额 | 第34-36页 |
| 3.3.3 48pA离子束流刻蚀的线结构结果 | 第36页 |
| 3.3.4 晶面效应成因假设 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 FIB刻蚀硅的MD模拟模型 | 第39-53页 |
| 4.1 蒙特卡洛模拟 | 第39-43页 |
| 4.1.1 离子轨迹及分布 | 第39-41页 |
| 4.1.2 离子射程分布和非晶层的厚度间的联系 | 第41页 |
| 4.1.3 离子能量损失 | 第41-42页 |
| 4.1.4 溅射产额 | 第42-43页 |
| 4.2 分子动力学模拟模型的建立 | 第43-48页 |
| 4.2.1 经典近似有效性检验 | 第43页 |
| 4.2.2 基底设置 | 第43-45页 |
| 4.2.3 边界条件 | 第45页 |
| 4.2.4 积分算法 | 第45-46页 |
| 4.2.5 相互作用经验势函数 | 第46页 |
| 4.2.6 离子束束流 | 第46-48页 |
| 4.3 性质量及计算方法 | 第48-51页 |
| 4.3.1 能量 | 第48页 |
| 4.3.2 温度 | 第48页 |
| 4.3.3 径向分布函数 | 第48-49页 |
| 4.3.4 局部序参量 | 第49-50页 |
| 4.3.5 共近邻分析 | 第50-51页 |
| 4.3.6 溅射产额 | 第51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 离子注入硅的MD模拟 | 第53-65页 |
| 5.1 镓离子与基底硅原子的碰撞过程 | 第53-57页 |
| 5.1.1 硅基底温度变化 | 第53-54页 |
| 5.1.2 能量变化 | 第54-56页 |
| 5.1.3 镓离子入射深度和轨迹分析 | 第56-57页 |
| 5.2 镓离子注入硅(100)基底模拟结果 | 第57-61页 |
| 5.2.1 基底的温度及总能量变化 | 第57页 |
| 5.2.2 非晶体化过程 | 第57-60页 |
| 5.2.3 非晶层厚度 | 第60-61页 |
| 5.3 离子注入硅的晶面效应 | 第61-63页 |
| 5.3.1 溅射产额对比 | 第61-62页 |
| 5.3.2 镓离子及CNA缺陷分布对比 | 第62-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 离子溅射刻蚀硅的MD模拟 | 第65-77页 |
| 6.1 溅射刻蚀形貌分析 | 第65-67页 |
| 6.1.1 最终刻蚀形貌 | 第65-67页 |
| 6.1.2 刻蚀形貌形成过程 | 第67页 |
| 6.2 基底原子轨迹分析和粒子分布 | 第67-71页 |
| 6.2.1 基底原子轨迹跟踪分析 | 第67-70页 |
| 6.2.2 镓离子和CNA缺陷在基底中的分布 | 第70-71页 |
| 6.3 离子溅射刻蚀硅的晶面效应 | 第71-74页 |
| 6.3.1 溅射刻蚀形貌差异 | 第71-72页 |
| 6.3.2 溅射产额差异 | 第72页 |
| 6.3.3 镓离子和CNA缺陷分布差异 | 第72-73页 |
| 6.3.4 晶面效应成因分析验证 | 第73-74页 |
| 6.4 本章小结 | 第74-77页 |
| 第七章 总结与展望 | 第77-79页 |
| 7.1 总结 | 第77页 |
| 7.2 展望 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 作者简介 | 第85页 |