| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-28页 |
| ·纳米尺度的吸引力 | 第15-16页 |
| ·纳米体系中的物理研究内容 | 第16页 |
| ·金属团簇与凝胶模型 | 第16-19页 |
| ·低维金属材料与磁性 | 第19-21页 |
| ·本研究工作的主要任务和意义 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-28页 |
| 第二章 第一性原理的理论基础和计算方法 | 第28-55页 |
| ·密度泛函理论 | 第28-38页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第29-30页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理的推广——自旋密度泛函理论 | 第30页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第30-32页 |
| ·局域自旋密度近似(LSDA) | 第32-34页 |
| ·广泛梯度近似(GGA) | 第34-36页 |
| ·非共线自旋密度 | 第36页 |
| ·标度相对论方程和自旋轨道耦合(SOC) | 第36-38页 |
| ·第一原理从头计算方法 | 第38-48页 |
| ·平面波基矢展开与截断 | 第38-39页 |
| ·赝势与超软赝势 | 第39-44页 |
| ·投影缀加波PAW(Projection of Augmentation Wave)方法 | 第44-46页 |
| ·力和Hellmann-Feynman定理 | 第46-47页 |
| ·网格与电子密度计算 | 第47-48页 |
| ·VASP程序包 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 第三章 零维:W_n(n=3～27)原子团簇的结构性质 | 第55-65页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·Wn(n=3～27)原子团簇的结构性质 | 第56-63页 |
| ·计算方法与参数设置 | 第56-57页 |
| ·计算结果及讨论 | 第57-63页 |
| ·结论 | 第63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第四章 一维:自由空间中W原子链的磁性 | 第65-77页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·自由空间中W原子链的磁性 | 第66-74页 |
| ·计算方法及参数设置 | 第66-67页 |
| ·计算结果及讨论 | 第67-74页 |
| ·结论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 第五章 二维:W原子薄片的结构与磁性 | 第77-101页 |
| ·引言 | 第77-78页 |
| ·W原子薄片的结构与磁性 | 第78-97页 |
| ·计算方法及参数设置 | 第78-80页 |
| ·W单原子薄片的稳定性 | 第80-83页 |
| ·W单原子薄片的磁性 | 第83-92页 |
| ·W单原子薄片的电子结构 | 第92-97页 |
| ·总结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-101页 |
| 第六章 过渡金属掺杂的Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体的电磁性质 | 第101-114页 |
| ·引言 | 第101页 |
| ·过渡金属掺杂的Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体的电磁性质 | 第101-112页 |
| ·计算方法 | 第102页 |
| ·TM掺杂Ⅲ-Ⅴ族DMS的磁性稳定性 | 第102-104页 |
| ·TM掺杂GaAs的磁矩 | 第104-107页 |
| ·Si和Mn共同掺杂的Ⅲ-Ⅴ DMS | 第107-112页 |
| ·结论 | 第112页 |
| 参考文献 | 第112-114页 |
| 第七章 总结 | 第114-119页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第119-120页 |
| 致谢 | 第120页 |
