碳纳米管场发射特性研究及新型发射体的制备
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-14页 |
| 第2章 碳纳米管场发射研究概况 | 第14-34页 |
| ·碳纳米管 | 第14-18页 |
| ·碳纳米管的发现和结构 | 第14-16页 |
| ·碳纳米管的制备方法 | 第16页 |
| ·碳纳米管的诸多优异性质 | 第16-18页 |
| ·场发射 | 第18-22页 |
| ·电子发射和场发射 | 第18-19页 |
| ·场发射的理论 | 第19-22页 |
| ·场发射的广泛应用 | 第22页 |
| ·碳纳米管场发射研究概况 | 第22-32页 |
| ·碳纳米管场发射体的制备 | 第23-25页 |
| ·碳纳米管的场发射电子能谱和IV 特性 | 第25-26页 |
| ·碳纳米管的逸出功 | 第26-28页 |
| ·碳纳米管的电场增强 | 第28-29页 |
| ·吸附态的影响 | 第29-30页 |
| ·碳纳米管场发射的稳定性 | 第30-31页 |
| ·碳纳米管场发射电子源的广泛应用前景 | 第31-32页 |
| ·其它的纳米级场发射体 | 第32页 |
| ·碳纳米管场发射研究目前存在的问题和本文的工作 | 第32-34页 |
| 第3章 碳纳米管的本征发射和气体吸附的过程 | 第34-44页 |
| ·前言 | 第34页 |
| ·实验样品与实验装置 | 第34-35页 |
| ·碳纳米管的本征发射 | 第35-37页 |
| ·碳纳米管场发射偏离FN 理论的原因 | 第37-39页 |
| ·发射过程吸附状态的变化 | 第39-43页 |
| ·IV 曲线分析 | 第39-41页 |
| ·荧光屏阳极光斑分析 | 第41-42页 |
| ·讨论 | 第42-43页 |
| ·结论 | 第43-44页 |
| 第4章 热发射法测量碳纳米管逸出功 | 第44-67页 |
| ·前言 | 第44-46页 |
| ·逸出功 | 第44页 |
| ·碳纳米管逸出功的测量和研究 | 第44-46页 |
| ·热发射法测量逸出功的原理 | 第46-48页 |
| ·零场发射电流的计算 | 第47-48页 |
| ·温度的测量 | 第48页 |
| ·碳纳米管丝逸出功的测量 | 第48-55页 |
| ·实验 | 第48-49页 |
| ·温度测量的讨论 | 第49-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-53页 |
| ·碳纳米管丝热发射电子的能谱 | 第53-54页 |
| ·碳纳米管热发射电子的冷却效应 | 第54-55页 |
| ·碳纳米管丝的热场发射 | 第55页 |
| ·碳纳米管束侧壁逸出功的测量 | 第55-65页 |
| ·前言 | 第55-56页 |
| ·实验 | 第56-59页 |
| ·测量结果 | 第59-61页 |
| ·讨论 | 第61-63页 |
| ·形貌不规则样品的发射特性 | 第63-65页 |
| ·结论 | 第65页 |
| ·改变碳纳米管逸出功方法的讨论 | 第65-66页 |
| ·总结 | 第66-67页 |
| 第5章 碳纳米管场发射体形貌控制研究 | 第67-84页 |
| ·前言 | 第67页 |
| ·喷洒法制备碳纳米管场发射体 | 第67-72页 |
| ·前言 | 第67-68页 |
| ·喷洒方法制备碳纳米管发射体 | 第68-70页 |
| ·封结的碳纳米管二极型显示器原型 | 第70-71页 |
| ·总结 | 第71-72页 |
| ·碳纳米管阵列底部作为场发射体 | 第72-76页 |
| ·前言 | 第72页 |
| ·反粘碳纳米管的实验 | 第72-74页 |
| ·碳纳米管和导电浆料之间粘结的分析 | 第74-75页 |
| ·碳纳米管底部发射体的发射特性 | 第75-76页 |
| ·总结 | 第76页 |
| ·压印方法增强碳纳米管阵列的发射特性 | 第76-82页 |
| ·前言 | 第76-77页 |
| ·压印处理 | 第77-78页 |
| ·碳纳米管阵列在压印之后能够形成图形的原因 | 第78-79页 |
| ·压印前后的碳纳米管阵列场发射性质 | 第79-80页 |
| ·压印后的碳纳米管阵列场发射性质增强的原因 | 第80-82页 |
| ·总结 | 第82页 |
| ·总结 | 第82-84页 |
| 第6章 平面型碳纳米管场发射电子源的研制 | 第84-101页 |
| ·前言 | 第84-85页 |
| ·表面传导电子发射显示器 | 第85-86页 |
| ·原型实验 | 第86-92页 |
| ·实验样品结构 | 第86-87页 |
| ·阴栅的发射特性 | 第87-88页 |
| ·阴栅发射导致的阳极电流 | 第88-89页 |
| ·不同栅极电压下的阳极IV 特性 | 第89-90页 |
| ·基于二次电子模型的解释 | 第90-92页 |
| ·结论 | 第92页 |
| ·平面型碳纳米管场发射结构的研制 | 第92-99页 |
| ·平面型碳纳米管场发射结构的制备工艺 | 第92-94页 |
| ·几种平面型碳纳米管场发射结构 | 第94-96页 |
| ·平面型碳纳米管场发射结构的性能测试 | 第96-98页 |
| ·平面型碳纳米管场发射结构放电以后的发射特性 | 第98-99页 |
| ·总结 | 第99页 |
| ·平面型碳纳米管场发射结构研制的下一步工作 | 第99-101页 |
| 第7章 总结和展望 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 附录 A Nordheim 函数的近似表示 | 第118-120页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第120-122页 |
