| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 目录 | 第10-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-37页 |
| ·纳米材料 | 第15-16页 |
| ·纳米材料的特性 | 第16-18页 |
| ·纳米材料的制备 | 第18-29页 |
| ·纳米微粒的制备 | 第19-21页 |
| ·纳米管的制备 | 第21-23页 |
| ·纳米线/棒的制备 | 第23-27页 |
| ·纳米薄膜材料的制备方法 | 第27-29页 |
| ·选题依据与研究目的 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-37页 |
| 第二章 氮化铜薄膜的研究概述 | 第37-53页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·制备参数对氮化铜纳米薄膜结构、性能的影响 | 第39-48页 |
| ·制备参数对氮化铜纳米薄膜结构的影响 | 第39-43页 |
| ·Cu_3N薄膜的电学性能 | 第43-44页 |
| ·Cu_3N薄膜的光学性能 | 第44-46页 |
| ·Cu_3N的热稳定性 | 第46页 |
| ·Cu_3N的硬度和耐腐蚀性 | 第46-47页 |
| ·H掺杂对纳米氮化铜薄膜生长行为的影响 | 第47页 |
| ·Cu_3N薄膜中Cu、N离子的状态 | 第47-48页 |
| ·氮化铜纳米薄膜的应用前景 | 第48-51页 |
| ·一次性光记录 | 第48-50页 |
| ·微电子工业上的应用 | 第50页 |
| ·其它应用 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第三章 Cu_3N纳米薄膜的制备及性能 | 第53-75页 |
| ·样品的制备与表征 | 第53-54页 |
| ·实验设备介绍 | 第53-54页 |
| ·样品的制备与表征 | 第54页 |
| ·不同条件下制备Cu_3N纳米薄膜的晶体结构和表面、断面形貌 | 第54-68页 |
| ·Cu_3N纳米薄膜的晶体结构 | 第56-64页 |
| ·氮化铜纳米薄膜的表面、断面形貌 | 第64-67页 |
| ·氮化铜纳米薄膜的沉积速率 | 第67-68页 |
| ·氮化铜纳米薄膜的性质 | 第68-71页 |
| ·Cu_3N薄膜的热稳定性 | 第68-69页 |
| ·Cu_3N薄膜的光学性能 | 第69-70页 |
| ·Cu_3N薄膜的电学性能 | 第70-71页 |
| ·Cu_3N薄膜中Cu、N离子的状态 | 第71-72页 |
| ·小结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第四章 氮化铜纳米薄膜的霍尔特性 | 第75-93页 |
| ·引言 | 第75页 |
| ·霍尔效应 | 第75-80页 |
| ·霍尔效应简介 | 第75-76页 |
| ·霍尔效应的基本原理 | 第76-77页 |
| ·霍尔系数R_H与其它参数间的关系 | 第77-78页 |
| ·霍尔效应的副效应及消除 | 第78-80页 |
| ·样品制备及测试 | 第80-82页 |
| ·样品的霍尔测量方法 | 第80页 |
| ·霍尔效应测试样品的制备 | 第80-81页 |
| ·霍尔效应测试设备 | 第81-82页 |
| ·测试结果及讨论 | 第82-89页 |
| ·室温条件下氮化铜薄膜的霍尔特性 | 第82-84页 |
| ·变温条件下Cu_3N薄膜的霍尔特性 | 第84-87页 |
| ·根据Cu_3N薄膜的霍尔特性给出薄膜的禁带宽度 | 第87-89页 |
| ·小结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第五章 硫化锌低维纳米结构制备与物性研究 | 第93-113页 |
| ·引言 | 第94-95页 |
| ·实验样品的制备 | 第95-96页 |
| ·化学试剂 | 第95页 |
| ·合成方法 | 第95页 |
| ·产物的表征手段 | 第95-96页 |
| ·硫化锌纳米材料的表征与性能研究 | 第96-107页 |
| ·XRD、Raman光谱表征分析 | 第96-97页 |
| ·纳米硫化锌样品的形貌表征及化学组成分析 | 第97-104页 |
| ·低维硫化锌纳米材料的光学性能 | 第104-106页 |
| ·低维硫化锌纳米材料的热重分析 | 第106-107页 |
| ·水热(热液)法制备低维硫化锌纳米材料的生长机理 | 第107-109页 |
| ·准一维的纳米硫化锌材料的生长机理 | 第107-108页 |
| ·片状纳米硫化锌材料的生长机理 | 第108-109页 |
| ·小结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-113页 |
| 第六章 磁性金属硫化物纳米线阵列制备与研究 | 第113-143页 |
| ·引言 | 第113-116页 |
| ·多孔阳极氧化铝(AAO)模板的制备 | 第116-120页 |
| ·引言 | 第116-117页 |
| ·AAO模板的制备 | 第117-119页 |
| ·AAO模板的表面形貌 | 第119-120页 |
| ·CoS_2、Fe_7S_8纳米阵列的制备 | 第120-124页 |
| ·直流沉积设备的改进 | 第120-121页 |
| ·溶液浓度配比的方法 | 第121-123页 |
| ·合成纳米线阵列的条件 | 第123页 |
| ·纳米线阵列的表征手段 | 第123-124页 |
| ·CoS_2纳米线阵列的表征与性能研究 | 第124-132页 |
| ·二硫化钴纳米线阵列的结构 | 第124页 |
| ·二硫化钴纳米线阵列的形貌分析 | 第124-126页 |
| ·二硫化钴纳米线阵列的成份分析 | 第126-128页 |
| ·二硫化钴纳米线阵列的磁性能分析 | 第128-130页 |
| ·二硫化钴纳米线的循环伏安曲线 | 第130-132页 |
| ·Fe_7S_8纳米线阵列的表征与性能研究 | 第132-138页 |
| ·Fe_7S_8纳米线阵列的结构 | 第132-133页 |
| ·Fe_7S_8纳米线阵列的形貌分析 | 第133-135页 |
| ·Fe_7S_8纳米线阵列的成份分析 | 第135-136页 |
| ·Fe_7S_8纳米线阵列的磁性能分析 | 第136-138页 |
| ·小结 | 第138-139页 |
| 参考文献 | 第139-143页 |
| 第七章 主要结论和展望 | 第143-149页 |
| 附录 | 第149-157页 |
| 作者简历 | 第149-151页 |
| 已发表的学术论文 | 第151-155页 |
| 所获奖项 | 第155-157页 |
| 致谢 | 第157-158页 |