| 前言 | 第1-8页 |
| 中文摘要 | 第8-10页 |
| 英文摘要 | 第10-12页 |
| 第一章 超导现象的发现和超导材料的应用 | 第12-30页 |
| ·"零电阻"效应的发现 | 第12-13页 |
| ·迈斯纳效应 | 第13-14页 |
| ·超导电性 | 第14-15页 |
| ·临界温度T_c | 第14页 |
| ·临界磁场H_c(T) | 第14页 |
| ·临界电流密度j_c | 第14-15页 |
| ·超导理论的建立 | 第15-16页 |
| ·约瑟夫森效应 | 第16-17页 |
| ·磁通量子化效应 | 第17页 |
| ·超导材料研究的进展 | 第17-18页 |
| ·超导材料的应用 | 第18-21页 |
| ·超导材料的强电和强磁场方面应用 | 第19-20页 |
| ·超导材料的弱电方面应用 | 第20-21页 |
| ·超导研究的主要实验手段 | 第21-27页 |
| ·超导的电阻—温度关系测量 | 第21-23页 |
| ·超导的磁测量 | 第23页 |
| ·X-ray衍射(XRD)物相分析 | 第23-25页 |
| ·扫描电子显微镜(GEM)表面形貌观察 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| ·附录图表 | 第29-30页 |
| 第二章 MgB_2超导电性的发现及其特性 | 第30-40页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·MgB_2的超导电性 | 第30-35页 |
| ·MgB_2属的晶体结构和理论计算 | 第30-32页 |
| ·MgB_2的同位素效应 | 第32页 |
| ·MgB_2的霍尔效应 | 第32页 |
| ·MgB_2的比热测定 | 第32-33页 |
| ·MgB_2的约瑟夫森效应 | 第33页 |
| ·MgB_2的相稳定性 | 第33-35页 |
| ·MgB_2超导薄膜的制备技术 | 第35-37页 |
| ·化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD) | 第37-39页 |
| ·化学反应的类型有以下几种 | 第37页 |
| ·化学气相沉积过程中主要的影响因素 | 第37-38页 |
| ·化学气相沉积的种类 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 异位退火制备MgB_2超导薄膜 | 第40-52页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·基片选择与实验准备 | 第41-42页 |
| ·基片的选择 | 第41页 |
| ·基片的清洗 | 第41-42页 |
| ·先驱膜沉积装置 | 第42页 |
| ·先驱B膜沉积 | 第42-46页 |
| ·Mg蒸气中后续退火 | 第46-47页 |
| ·坩锅装片 | 第46页 |
| ·后续退火 | 第46-47页 |
| ·实验结果分析 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 原位HPCVD双温区制备MgB_2超导薄膜 | 第52-62页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·双温区HPCVD制备超导薄膜 | 第53-54页 |
| ·实验过程 | 第54-56页 |
| ·基片的处理 | 第54页 |
| ·薄膜的沉积 | 第54-56页 |
| ·实验结果及分析 | 第56-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 MgB_2超导薄膜应用展望 | 第62-65页 |
| 第六章 论文总结 | 第65-67页 |
| 参考文霞 | 第67-73页 |
| 图表索引 | 第73-75页 |
| 研究生学习阶段参加的课题和取得的成果 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |