| 提要 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·二次谐波产生、场致倍频吸收和双光子吸收 | 第8-10页 |
| ·研究高灵敏度双光子响应探测器的意义 | 第10-11页 |
| ·本论文的主要工作 | 第11-12页 |
| 参考文献 | 第12-18页 |
| 第二章 倍频效应和双光子吸收的基本理论 | 第18-40页 |
| ·非线性光学耦合波方程 | 第18-19页 |
| ·倍频效应 | 第19-27页 |
| ·二次谐波产生 | 第20-23页 |
| ·倍频极化强度和光整流极化强度 | 第23-25页 |
| ·倍频效应的应用 | 第25-27页 |
| ·双光子吸收 | 第27-35页 |
| ·双光子吸收系数 | 第27-28页 |
| ·双光子吸收理论 | 第28-33页 |
| ·双光子吸收的应用 | 第33-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-40页 |
| 第三章 固浸透镜技术原理及应用 | 第40-52页 |
| ·衍射效应对显微镜空间分辨率的限制 | 第40-42页 |
| ·固浸透镜技术的产生 | 第42-44页 |
| ·固浸透镜的基本原理 | 第44-47页 |
| ·平板形固浸透镜原理 | 第44页 |
| ·半球形固浸透镜原理 | 第44-45页 |
| ·超半球形固浸透镜原理 | 第45-47页 |
| ·固浸透镜技术的应用 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 半球形GaAs 双光子响应光电探测器的研究 | 第52-78页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·GaAs 的晶体结构和性质 | 第53-55页 |
| ·半球形GaAs 探测器的制作 | 第55-57页 |
| ·GaAs半球的制作 | 第55-56页 |
| ·电极的制作 | 第56-57页 |
| ·半球形GaAs 探测器双光子响应特性的研究 | 第57-74页 |
| ·半球形GaAs 探测器的光电流与入射光功率的关系 | 第57-61页 |
| ·半球形GaAs 探测器的光电流与入射光功率的关系 | 第57-59页 |
| ·固浸透镜在GaAs 半球形探测器中的作用 | 第59-61页 |
| ·半球形GaAs 探测器倍频效应的各向异性 | 第61-72页 |
| ·倍频极化强度的极值与基频光偏振方向的关系 | 第61-64页 |
| ·底面近(001)面的GaAs 半球的倍频效应的理论研究 | 第64-67页 |
| ·GaAs 半球倍频吸收各向异性的实验研究和分析 | 第67-72页 |
| ·半球形GaAs 探测器的光电信号与外加偏压的关系 | 第72-74页 |
| ·小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第五章 半球形硅双光子响应探测器的设计 | 第78-108页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·硅的晶体结构和性质 | 第79-81页 |
| ·破坏材料对称性的方法 | 第81-82页 |
| ·硅材料场致等效二阶极化率张量的研究 | 第82-90页 |
| ·电场E 沿[111]方向 | 第84-87页 |
| ·电场E 沿[110]方向 | 第87-88页 |
| ·电场E 沿[001]方向 | 第88-89页 |
| ·讨论 | 第89-90页 |
| ·硅材料场致倍频效应的研究 | 第90-101页 |
| ·[111]方向电场诱导的硅的倍频极化强度 | 第90-96页 |
| ·[110]方向电场诱导的硅的倍频极化强度 | 第96-99页 |
| ·[001]方向电场诱导的硅的倍频极化强度 | 第99-101页 |
| ·半球形硅双光子响应探测器的设计 | 第101-104页 |
| ·硅半球形固浸透镜的制作 | 第101-103页 |
| ·电极的制作 | 第103页 |
| ·研究硅半球形探测器双光子响应特性的实验设计 | 第103-104页 |
| ·小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-108页 |
| 结束语 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及其他成果 | 第110-112页 |
| 摘要 | 第112-115页 |
| ABSTRACT | 第115-118页 |
