直流辉光放电PCVD方法制备碳纳米管及场发射特性研究
提要 | 第1-8页 |
第一章绪论 | 第8-26页 |
·碳纳米管的结构 | 第8-15页 |
·与碳纳米管相关的碳材料简介 | 第8-11页 |
·碳纳米管的结构与分类 | 第11-15页 |
·碳纳米管的特性与应用 | 第15-18页 |
·碳纳米管的主要特性 | 第15页 |
·碳纳米管的应用 | 第15-18页 |
·碳纳米管的研究历史与现状 | 第18-25页 |
·碳纳米管的研究历史 | 第18页 |
·碳纳米管的制备方法 | 第18-21页 |
·碳纳米管的研究现状 | 第21-25页 |
·论文选题及主要研究内容 | 第25-26页 |
第二章 碳纳米管的制备 | 第26-38页 |
·设备 | 第26-28页 |
·气体直流辉光放电 | 第28-33页 |
·高气压直流辉光放电状态 | 第28-29页 |
·高气压直流辉光等离子体放电状态研究 | 第29-32页 |
·反应气体的分解 | 第32-33页 |
·碳纳水管的制备工艺 | 第33-37页 |
·工艺过程的建立 | 第33-34页 |
·制备工艺参数 | 第34页 |
·制备金刚石膜与制备碳纳米管工艺对比 | 第34-35页 |
·基片的处理与选择 | 第35-37页 |
·本章小结 | 第37-38页 |
第三章 碳纳米管的生长特性研究 | 第38-56页 |
·cVD方法制备碳纳米管的结晶与生长 | 第38-41页 |
·cVD方法生长碳纳米管的一般过程 | 第38-39页 |
·金镍台金颗粒的形成 | 第39-41页 |
·碳纳米管的sEM研究 | 第41-47页 |
3 2.1 基片温度对碳纳米管生长的影响 | 第41-42页 |
·反应气体压强的影响 | 第42-44页 |
·甲烷浓度的影响 | 第44-45页 |
·金属催化剂的厚度对碳管的生长特性的影响 | 第45-47页 |
·碳纳米管的TEM研究 | 第47-54页 |
·透射电镜观测结果 | 第47-49页 |
·竹节状碳纳米管 | 第49-51页 |
·Y型碳纳米管 | 第51-54页 |
·本章小结 | 第54-56页 |
第四章 碳纳米管场发射性能的研究 | 第56-70页 |
·碳纳米管的场发射性能研究概述 | 第56-59页 |
·场发射理论基础 | 第59-64页 |
·材料场发射性 | 第59-60页 |
·F-x理论 | 第60-61页 |
·碳纳米管的场增强效应 | 第61-64页 |
·场致发射测试装置简介 | 第64-66页 |
·不同实验条下碳纳米管的场发射性能 | 第66-69页 |
·基片温度对碳纳米管的场发射电流的影响 | 第66页 |
·甲烷浓度对场发射电流的影响 | 第66-67页 |
·沉积气压对场发射电流的影响 | 第67-68页 |
·直流辉光等离于体方法制备碳纳米管场发射性能分析 | 第68-69页 |
·本章小结 | 第69-70页 |
第五章 全文总结 | 第70-73页 |
参考文献 | 第73-78页 |
中文摘要 | 第78-80页 |
ABSTRACT | 第80-83页 |
致谢 | 第83-84页 |
导师及作者简介 | 第84页 |