稀土掺杂氮化镓纳米粉溶胶—凝胶制备及发光机理研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| ·GaN的研究现状 | 第11-13页 |
| ·GaN薄膜的研究发展与现状 | 第11-12页 |
| ·GaN粉体的研究发展与现状 | 第12页 |
| ·GaN材料的应用研究现状 | 第12-13页 |
| ·GaN材料的制备 | 第13-16页 |
| ·薄膜制备方法 | 第13-15页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第14页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第14页 |
| ·氢化物气相外延(HVPE) | 第14-15页 |
| ·GaN粉体的制备 | 第15-16页 |
| ·沉淀法 | 第15页 |
| ·水热法 | 第15-16页 |
| ·微乳液法 | 第16页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第16-18页 |
| ·溶胶-凝胶法的化学过程 | 第17-18页 |
| ·溶胶-凝胶法的特点 | 第18页 |
| ·本论文研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 稀土掺杂GaN的基础理论 | 第20-24页 |
| ·GaN材料的相关性质 | 第20-21页 |
| ·GaN的基本结构 | 第20页 |
| ·GaN的相关性质 | 第20-21页 |
| ·稀土的性质 | 第21-22页 |
| ·稀土元素的性质 | 第21-22页 |
| ·稀土改性机理 | 第22页 |
| ·稀土掺杂GaN的性质分析 | 第22-24页 |
| ·GaN的发光性质 | 第22-23页 |
| ·稀土掺杂GaN的发光性质 | 第23-24页 |
| 第三章 GaN材料的第一性原理计算 | 第24-35页 |
| ·从头计算方法(ab initio) | 第24-25页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第25-26页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第25页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第25-26页 |
| ·CASTEP软件介绍 | 第26-28页 |
| ·CASTEP软件的主要功能 | 第26-27页 |
| ·CASTEP软件的使用方法 | 第27-28页 |
| ·本征GaN晶体材料的计算 | 第28-31页 |
| ·稀土离子掺杂GaN材料的计算 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 溶胶-凝胶法制备GaN粉体 | 第35-52页 |
| ·实验准备及注意事项 | 第35-37页 |
| ·样品的制备 | 第37-43页 |
| ·样品制备方案 | 第37-38页 |
| ·样品表征方案 | 第38-39页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第38页 |
| ·傅立叶红外光谱分析(FTIR) | 第38-39页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第39页 |
| ·材料制备过程 | 第39-43页 |
| ·本征GaN粉体的制备 | 第40-41页 |
| ·稀土掺杂GaN粉体的制备 | 第41-43页 |
| ·样品表征的结果与讨论 | 第43-51页 |
| ·预处理产物的分析 | 第43页 |
| ·柠檬酸及pH值对GaN的影响 | 第43-45页 |
| ·退火温度对GaN的影响 | 第45-47页 |
| ·不同稀土掺杂的分析 | 第47-49页 |
| ·GaN发光谱的分析 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 本文主要结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
