| 中文摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 概述 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·GaN 薄膜的研究进展 | 第10-11页 |
| ·GaN 薄膜的制备方法 | 第11-14页 |
| ·GaN 薄膜缓冲层的作用及研究 | 第14-15页 |
| ·本论文的内容及安排 | 第15-17页 |
| 第二章 理论模拟及实验技术 | 第17-29页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·薄膜生长动力学 | 第17-19页 |
| ·脉冲激光沉积的原理与特性 | 第19-24页 |
| ·高温退火过程 | 第24-25页 |
| ·薄膜材料的表征方法 | 第25-29页 |
| 第三章 硅基氮化镓薄膜和氧化锌薄膜的制备和性质研究 | 第29-39页 |
| ·硅基氮化镓薄膜的制备和性质研究 | 第29-32页 |
| ·硅基氧化锌薄膜的制备和性质研究 | 第32-39页 |
| 第四章 ZnO缓冲层和退火过程对GaN/ZnO/Si 薄膜制备的影响 | 第39-57页 |
| ·缓冲层衬底对GaN薄膜的结晶质量影响 | 第40-43页 |
| ·退火温度对GaN/ZnO/Si 薄膜的结晶质量影响 | 第43-53页 |
| ·退火时间对GaN/ZnO/Si 薄膜的结晶质量影响 | 第53-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-59页 |
| ·本论文的主要研究成果 | 第57页 |
| ·对今后研究工作的建议 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间完成的论文 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
