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氨化Si基Ga2O3/Ti和Ga2O3/TiO2薄膜制备一维GaN纳米结构研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 绪论第9-30页
   ·氮化镓材料的基本性质及其应用第9-12页
   ·氮化镓材料的发展历程、应用、制备方法及常用的缓冲层材料第12-14页
   ·氮化镓纳米材料的制备及研究现状第14-29页
   ·本论文的选题依据和主要实验内容第29-30页
第二章 实验设备与测试方法第30-35页
   ·实验设备第30-32页
   ·实验中所需要的主要材料和试剂第32页
   ·样品的测试和表征第32-35页
第三章 SI 基TI 在氨气中的行为第35-42页
   ·样品的制备与表征第35页
   ·结果与分析第35-42页
第四章 在TI 中间层上合成一维GAN 纳米结构第42-50页
   ·样品的制备与表征第42页
   ·结果与分析第42-48页
   ·GAN 纳米线的生长过程的简单讨论第48-50页
第五章 在TIO_2中间层上合成一维GAN 纳米结构第50-57页
   ·样品的制备与表征第50页
   ·结果与分析第50-56页
   ·GAN 纳米线的生长过程第56-57页
第六章 结论第57-60页
   ·本文的主要研究结果第57-58页
   ·对今后工作的建议第58-60页
参考文献第60-68页
攻读硕士期间发表的论文统计第68-71页
致谢第71页

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