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基于PVTL变化的集成电流模DC-DC变换器稳定性研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-11页
第一章 绪论第11-25页
   ·电源管理与集成DC-DC第11-12页
   ·DC-DC 研究内容第12-18页
     ·DC-DC 的工作模式第12-15页
     ·DC-DC 的功能单元第15-17页
     ·DC-DC 的研究重点第17-18页
   ·DC-DC 稳定性研究第18-21页
     ·稳定性涵义第18-20页
     ·DC-DC 的稳定性研究方法第20-21页
   ·章节安排与研究成果第21-25页
第二章 工艺因素影响(Process)第25-39页
   ·工艺漂移第25页
   ·电压基准原理第25-33页
     ·衬底PNP 型基准第26-27页
     ·亚阈值型基准第27-28页
     ·双阈值型基准第28-29页
     ·VGSn 型基准第29-30页
     ·△VGSnp 型基准第30-32页
     ·电压基准比较第32-33页
   ·改进的电流采样电路第33-37页
     ·传统电流采样电路分析第33-35页
     ·改进的采样电路第35-36页
     ·采样结果比较第36-37页
   ·本章小结第37-39页
第三章 电压因素影响(Voltage)第39-53页
   ·电压变化与亚谐波振荡第39页
   ·一种新颖的自适应斜坡补偿第39-43页
     ·亚谐波振荡与斜坡补偿第40-41页
     ·自适应斜坡补偿原理第41-43页
   ·减小斜坡补偿对带载能力的影响第43-50页
     ·斜坡补偿对带载能力的影响第44-46页
     ·斜坡影响的消除方案第46-48页
     ·复合比较器第48-49页
     ·试验结果第49-50页
   ·本章小结第50-53页
第四章 温度因素的影响(Temperature)第53-69页
   ·温度变化与基准温漂第53页
   ·带隙基准的温漂分析第53-55页
   ·曲率校正第55-57页
   ·分段线性校正的带隙基准第57-63页
     ·分段线性补偿原理第58-59页
     ·电路设计第59-61页
     ·仿真结果第61-63页
     ·结论第63页
   ·二次曲线校正的CMOS 带隙基准第63-68页
     ·二阶补偿的原理与实现第63-65页
     ·整体电路第65-67页
     ·结果与讨论第67页
     ·结论第67-68页
   ·本章小结第68-69页
第五章 负载因素的影响(Loading)第69-85页
   ·负载与环路稳定性和振铃的关系第69页
   ·频率稳定性仿真方法第69-75页
     ·电流模DC-DC 控制回路的分解第70-71页
     ·电流回路稳定性仿真方法第71-72页
     ·电压回路稳定性仿真方法第72-75页
     ·讨论第75页
   ·BUCK 型DC-DC 的抗振铃电路第75-83页
     ·振铃的形成第76-78页
     ·Buck 型DC-DC 中抗振铃电路的设计第78-81页
     ·实验结果与讨论第81-82页
     ·结论第82-83页
   ·本章小结第83-85页
第六章 集成DC-DC 稳定性研究前提——可测性第85-101页
   ·DC-DC 复杂化与可测性第85-86页
   ·一种DC-DC 芯片内建可测性设计第86-93页
     ·基本原理第86-87页
     ·电路实现第87-92页
     ·试验结果第92页
     ·结论第92-93页
   ·一种低功耗复合比较器的设计方法第93-100页
     ·传统的差分电压比较器第93-95页
     ·复合比较器设计方法第95-99页
     ·结论第99-100页
   ·本章小结第100-101页
结束语第101-104页
致谢第104-105页
参考文献第105-115页
攻读博士学位期间的研究成果第115-116页

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