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SiGe BiCMOS工艺Ku波段低噪声放大器和混频器RFIC设计

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-15页
   ·微波/射频集成电路的发展及应用前景第9-11页
   ·国内外动态第11-13页
     ·国外动态第11-12页
     ·国内动态第12-13页
   ·本论文的主要工作第13-15页
第二章 JAZZ 0.35μm SiGe BiCMOS工艺元件简介第15-24页
   ·元件模型与电路设计的关系第15页
   ·SiGe HBT第15-16页
   ·RF CMOS第16-18页
   ·电阻第18-19页
   ·MIM电容第19-21页
   ·电感第21-24页
第三章 射频低噪声放大器设计第24-44页
   ·射频的概念第24-25页
   ·射频集成电路设计流程第25-26页
   ·集成低噪声放大器当前研究水平第26-27页
   ·低噪声放大器设计基本理论第27-31页
     ·散射参数第27-28页
     ·噪声第28-30页
     ·增益第30页
     ·稳定性第30-31页
     ·线性度与大信号性能第31页
   ·低噪声放大器电路设计第31-38页
     ·电路拓扑结构的选择第31-34页
     ·设计指标第34页
     ·完整LNA电路结构图第34-35页
     ·输入级晶体管的设计第35-37页
     ·偏置电路的设计第37页
     ·共栅级及负载设计第37-38页
     ·稳定性的考虑第38页
   ·低噪声放大器版图设计第38-40页
   ·版图寄生参数提取及后仿真第40-44页
第四章 双平衡有源混频器设计第44-71页
   ·射频混频技术第44-50页
     ·混频器概述第44-45页
     ·混频器的基本原理第45-47页
     ·混频器的技术指标第47-50页
       ·转换增益第47页
       ·噪声因子(噪声系数)第47-48页
       ·线性度第48-49页
       ·输入输出阻抗第49页
       ·端口间隔离度第49-50页
   ·当前集成混频器研究水平第50页
   ·双平衡有源混频器性能分析第50-59页
     ·电路拓扑结构选择第50-52页
     ·双平衡有源混频器转换增益分析第52-55页
     ·双平衡有源混频器噪声分析第55-58页
     ·双平衡有源混频器线性度分析第58-59页
   ·双平衡有源混频器电路设计第59-65页
     ·设计指标第59-60页
     ·完整混频器电路结构图第60页
     ·跨导级的设计第60-61页
     ·并联LC谐振槽的设计第61-62页
     ·开关级的设计第62-63页
     ·负载电路的设计第63页
     ·偏置电路的设计第63页
     ·输出缓冲器的设计第63-65页
   ·双平衡有源混频器版图的设计第65-67页
   ·版图寄生参数提取及后仿真第67-71页
第五章 结论第71-73页
致谢第73-74页
参考文献第74-77页
个人简历第77-78页
研究成果第78页

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