摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-15页 |
·微波/射频集成电路的发展及应用前景 | 第9-11页 |
·国内外动态 | 第11-13页 |
·国外动态 | 第11-12页 |
·国内动态 | 第12-13页 |
·本论文的主要工作 | 第13-15页 |
第二章 JAZZ 0.35μm SiGe BiCMOS工艺元件简介 | 第15-24页 |
·元件模型与电路设计的关系 | 第15页 |
·SiGe HBT | 第15-16页 |
·RF CMOS | 第16-18页 |
·电阻 | 第18-19页 |
·MIM电容 | 第19-21页 |
·电感 | 第21-24页 |
第三章 射频低噪声放大器设计 | 第24-44页 |
·射频的概念 | 第24-25页 |
·射频集成电路设计流程 | 第25-26页 |
·集成低噪声放大器当前研究水平 | 第26-27页 |
·低噪声放大器设计基本理论 | 第27-31页 |
·散射参数 | 第27-28页 |
·噪声 | 第28-30页 |
·增益 | 第30页 |
·稳定性 | 第30-31页 |
·线性度与大信号性能 | 第31页 |
·低噪声放大器电路设计 | 第31-38页 |
·电路拓扑结构的选择 | 第31-34页 |
·设计指标 | 第34页 |
·完整LNA电路结构图 | 第34-35页 |
·输入级晶体管的设计 | 第35-37页 |
·偏置电路的设计 | 第37页 |
·共栅级及负载设计 | 第37-38页 |
·稳定性的考虑 | 第38页 |
·低噪声放大器版图设计 | 第38-40页 |
·版图寄生参数提取及后仿真 | 第40-44页 |
第四章 双平衡有源混频器设计 | 第44-71页 |
·射频混频技术 | 第44-50页 |
·混频器概述 | 第44-45页 |
·混频器的基本原理 | 第45-47页 |
·混频器的技术指标 | 第47-50页 |
·转换增益 | 第47页 |
·噪声因子(噪声系数) | 第47-48页 |
·线性度 | 第48-49页 |
·输入输出阻抗 | 第49页 |
·端口间隔离度 | 第49-50页 |
·当前集成混频器研究水平 | 第50页 |
·双平衡有源混频器性能分析 | 第50-59页 |
·电路拓扑结构选择 | 第50-52页 |
·双平衡有源混频器转换增益分析 | 第52-55页 |
·双平衡有源混频器噪声分析 | 第55-58页 |
·双平衡有源混频器线性度分析 | 第58-59页 |
·双平衡有源混频器电路设计 | 第59-65页 |
·设计指标 | 第59-60页 |
·完整混频器电路结构图 | 第60页 |
·跨导级的设计 | 第60-61页 |
·并联LC谐振槽的设计 | 第61-62页 |
·开关级的设计 | 第62-63页 |
·负载电路的设计 | 第63页 |
·偏置电路的设计 | 第63页 |
·输出缓冲器的设计 | 第63-65页 |
·双平衡有源混频器版图的设计 | 第65-67页 |
·版图寄生参数提取及后仿真 | 第67-71页 |
第五章 结论 | 第71-73页 |
致谢 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-77页 |
个人简历 | 第77-78页 |
研究成果 | 第78页 |