| 中文摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·场发射平板显示器简介 | 第9-17页 |
| ·场发射显示器的原理与基本结构 | 第9-13页 |
| ·场发射平板显示器的技术优势 | 第13-14页 |
| ·场发射平板显示器的研究现状 | 第14-17页 |
| ·场发射阴极材料 | 第17-21页 |
| ·金属材料 | 第17-18页 |
| ·半导体材料 | 第18页 |
| ·金刚石材料 | 第18-19页 |
| ·类金刚石材料 | 第19页 |
| ·导电聚合物材料 | 第19-20页 |
| ·碳纳米管材料 | 第20-21页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 碳纳米管的场致发射研究 | 第22-45页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·碳纳米管简介 | 第23-30页 |
| ·碳纳米管的发现 | 第23-24页 |
| ·碳纳米管的结构 | 第24-28页 |
| ·碳纳米管的制备 | 第28-29页 |
| ·碳纳米管的性质 | 第29-30页 |
| ·场发射的Fowler－Nordheim 理论 | 第30-34页 |
| ·碳纳米管的场致发射 | 第34-40页 |
| ·碳纳米管的场发射机理 | 第34-37页 |
| ·碳纳米管场发射性能的影响因素 | 第37-40页 |
| ·碳纳米管场发射阴极的制作工艺 | 第40-43页 |
| ·直接生长法 | 第40-41页 |
| ·光刻法 | 第41页 |
| ·丝网印刷法 | 第41-42页 |
| ·液相沉积法 | 第42页 |
| ·电泳法 | 第42页 |
| ·涂敷法 | 第42-43页 |
| ·目前尚存在的问题 | 第43-45页 |
| 第三章 涂敷法制备碳纳米管/纳米银场发射阴极的研究 | 第45-64页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·实验 | 第46-50页 |
| ·碳纳米管/纳米银场发射阴极膜的制备 | 第46-48页 |
| ·碳纳米管/纳米银阴极膜的场发射性能测试 | 第48-50页 |
| ·结构表征 | 第50页 |
| ·碳纳米管/纳米银阴极膜的场发射性能 | 第50-58页 |
| ·碳纳米管场发射性能的评价指标 | 第50-52页 |
| ·纳米银的低温烧结 | 第52-54页 |
| ·碳纳米管/纳米银涂敷浆料的分散效果 | 第54-55页 |
| ·不同浆料配比的碳纳米管/纳米银阴极膜的场发射性能 | 第55-58页 |
| ·双层结构碳纳米管/纳米银阴极膜的制备与场发射性能 | 第58-63页 |
| ·双层结构碳纳米管/纳米银阴极膜的两步涂敷法制备 | 第58-60页 |
| ·双层结构碳纳米管/纳米银阴极膜的场发射性能 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 电泳法沉积碳纳米管薄膜及场发射性能研究 | 第64-81页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·实验 | 第64-67页 |
| ·电泳原理 | 第64-65页 |
| ·碳纳米管阴极薄膜的电泳沉积 | 第65-66页 |
| ·电泳沉积工艺条件 | 第66-67页 |
| ·样品的结构表征与场发射测试条件 | 第67页 |
| ·电泳工艺条件对碳纳米管薄膜场发射性能的影响 | 第67-72页 |
| ·测试条件对电泳沉积的碳纳米管薄膜场发射性能的影响 | 第72-78页 |
| ·测试极间距与系统真空度的影响 | 第72-75页 |
| ·F-N 分析 | 第75-78页 |
| ·电泳法和涂敷法制备的碳纳米管薄膜的场发射性能比较 | 第78-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第五章 金属镀覆对电泳沉积碳纳米管薄膜的改性研究 | 第81-96页 |
| ·引言 | 第81-82页 |
| ·溅射镀膜原理 | 第82-83页 |
| ·碳纳米管薄膜表面金属镀覆对场发射性能的影响 | 第83-90页 |
| ·表面覆Ti碳纳米管薄膜的场发射性能 | 第83-86页 |
| ·表面覆Ti 碳纳米管薄膜的XRD 与XPS 表征 | 第86-89页 |
| ·表面金属镀覆影响碳纳米管场发射性能的分析 | 第89-90页 |
| ·基底金属镀覆改善碳纳米管膜场发射性能的研究 | 第90-95页 |
| ·基底覆Ti碳纳米管膜的场发射性能 | 第90-93页 |
| ·基底覆Ti改善碳纳米管膜场发射性能的原因分析 | 第93-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 第六章 表面等离子处理对碳纳米管薄膜的改性研究 | 第96-112页 |
| ·引言 | 第96页 |
| ·试验 | 第96-98页 |
| ·Ar 微波等离子体处理的试验原理及实验条件 | 第96-98页 |
| ·碳纳米管膜的制备条件及场发射性能测试条件 | 第98页 |
| ·微波等离子体处理的碳纳米管膜的场发射性能 | 第98-103页 |
| ·微波等离子体处理的碳纳米管薄膜的结构表征 | 第103-108页 |
| ·碳纳米管形貌结构的SEM 表征 | 第103-104页 |
| ·碳纳米管形貌结构的TEM 表征 | 第104-106页 |
| ·碳纳米管缺陷结构的Raman光谱表征 | 第106-108页 |
| ·微波等离子体处理改善场发射性能的原因分析 | 第108-111页 |
| ·微波等离子体处理提高场发射I-V 特性的原因 | 第108-109页 |
| ·微波等离子体处理改善发射稳定性和均匀性的原因 | 第109-111页 |
| ·本章小结 | 第111-112页 |
| 第七章 结论 | 第112-115页 |
| 参考文献 | 第115-126页 |
| 发表论文和科研情况 | 第126-127页 |
| 致谢 | 第127页 |
