| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| ·论文的研究意义 | 第9-11页 |
| ·论文的结构安排 | 第11-12页 |
| 第二章 谐振腔增强型探测器理论研究 | 第12-30页 |
| ·RCE光电探测器的分布式布拉格反射镜分析 | 第12-18页 |
| ·反射镜的种类: | 第12-13页 |
| ·分布式布拉格反射镜的基本理论 | 第13-15页 |
| ·分布式布拉格反射镜的材料选择 | 第15-18页 |
| ·谐振腔增强型光电探测器(RCE PD)的性能研究 | 第18-29页 |
| ·RCE器件的量子效率分析 | 第18-22页 |
| ·RCE探测器的波长选择性分析 | 第22-23页 |
| ·RCE探测器的高速特性分析 | 第23-25页 |
| ·利用传输矩阵法分析RCE光电探测器性能 | 第25-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第三章 侧入射反射镜型垂直腔RCE光探测器的研究 | 第30-46页 |
| ·高性能侧入射光电探测器的研究 | 第30-34页 |
| ·波导型PIN光电探测器(WGPD) | 第31-33页 |
| ·小平面折射型PIN光电探测器(RFPD) | 第33页 |
| ·反射型PIN光电探测器(MPD) | 第33-34页 |
| ·侧入射反射镜型垂直腔RCE光探测器的研究与设计 | 第34-45页 |
| ·侧入射反射镜型器件结构 | 第34-37页 |
| ·器件的结构设计与分析 | 第37-44页 |
| ·DBR的设计和分析 | 第37-41页 |
| ·RCE PD的设计和分析 | 第41-42页 |
| ·V型槽的设计 | 第42-44页 |
| V型槽的形成原理 | 第42-43页 |
| V型槽的工艺设计及分析 | 第43-44页 |
| 蒸镀V型槽增透膜 | 第44页 |
| ·器件的性能及工艺过程 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第四章 InP衬底V型槽的工艺实现 | 第46-51页 |
| ·试验过程 | 第46-47页 |
| ·腐蚀液的选取 | 第47页 |
| ·试验结果及分析 | 第47-50页 |
| ·HCl:H_3PO_4腐蚀液结果分析 | 第47-48页 |
| ·HBr:H_3PO_4腐蚀液结果分析 | 第48-50页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| 第五章 InP基外延层楔型结构(斜面)制备工艺的研究 | 第51-61页 |
| ·一镜斜置三镜腔型光电探测器介绍 | 第51-53页 |
| ·一镜斜置三镜腔型光电探测器的工作原理 | 第51-53页 |
| ·一镜斜置三镜腔光电探测器关键工艺—楔型结构(斜面)制备 | 第53-59页 |
| ·可控自推移动态掩膜湿法刻蚀技术的基本原理 | 第54-55页 |
| ·选择性湿法腐蚀溶液的选取 | 第55-56页 |
| ·实验结果与分析 | 第56-59页 |
| ·结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
